【電子教案--模擬電子技術(shù)】第一章半導(dǎo)體器件(參考版)
2025-02-28 09:52本頁(yè)面
【正文】 AIB = 0O 3 6 9 124321放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)特點(diǎn)：1)iB 決定 iC2)曲線(xiàn)水平表示恒流3)曲線(xiàn)間隔表示受控模 擬 電 子 技 術(shù)5. 參數(shù)特性參數(shù)電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? )? = ? /(1 + ? )極間反向電流 ICBOICEO極限參數(shù)ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 區(qū)= (1 + ?) ICBO模 擬 電 子 技 術(shù)場(chǎng)效應(yīng)管1. 分類(lèi)按導(dǎo)電溝道分 N 溝道P 溝道按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型(MOS)結(jié)型按特性分 增強(qiáng)型耗盡型 uGS = 0 時(shí)， iD = 0uGS = 0 時(shí)， iD ? 0增強(qiáng)型耗盡型(耗盡型 )模 擬 電 子 技 術(shù)2. 特點(diǎn)柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流輸入電阻高，工藝簡(jiǎn)單，易集成由于 FET 無(wú)柵極電流，故采用 轉(zhuǎn)移特性 和輸出特性 描述3. 特性不同類(lèi)型 FET 的特性比較參見(jiàn) 表 12 第 6 4頁(yè)模 擬 電 子 技 術(shù)不同類(lèi)型 FET 轉(zhuǎn)移特性比較結(jié)型N 溝道uGS /ViD /mAO增強(qiáng)型耗盡型MOS 管(耗盡型 ) IDSS 開(kāi)啟電壓UGS(th)夾斷電壓 UGS(off)IDO 是 uGS = 2UGS(th) 時(shí)的 iD 值模 擬 電 子 技 術(shù)四、晶體管電路的基本問(wèn)題和分析方法三種工作狀態(tài)狀態(tài) 電流關(guān)系 ?條 ???件放大 I C = ? IB 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏飽和 I C ? ? IB 兩個(gè)結(jié)正偏I(xiàn)CS = ? IBS 集電結(jié)零偏臨界截止 IB 0, IC = 0 兩個(gè)結(jié)反偏判斷導(dǎo)通還是截止：UBE U(th) 則 導(dǎo)通以 NPN為 例：UBE U(th) 則 截止模 擬 電 子 技 術(shù)判斷飽和還是放大：1. 電位判別法NPN 管 UC UB UE 放大UE UC ? UB 飽和PNP 管 UC UB UE 放大UE UC ? U B 飽和2. 電流判別法IB IBS 則 飽和 IB IBS 則 放大模 擬 電 子 技 術(shù)謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。A40 181。A80 181。A20 181。A60 181。模 擬 電 子 技 術(shù)iDO uDU (BR)I FURM2. 主要參數(shù)主要參數(shù)正向 — 最大平均電流 IF反向 —最大反向工作電壓 U(BR)(超過(guò)則擊穿 )反向飽和電流 IR (IS)(受溫度影響 )IS模 擬 電 子 技 術(shù)3. 二極管的等效模型理想模型 (大信號(hào)狀態(tài)采用 )uDiD正偏導(dǎo)通 電壓降為零 相當(dāng)于理想開(kāi)關(guān)閉合反偏截止 電流為零 相當(dāng)于理想開(kāi)關(guān)斷開(kāi)恒壓降模型 UD(on)正偏電壓 ? UD(on) 時(shí)導(dǎo)通 等效為恒壓源 UD(on)否則截止，相當(dāng)于二極管支路斷開(kāi)UD(on) = ( ? ) V 估算時(shí)取 V硅管：鍺管： ( ? ) V V折線(xiàn)近似模型相當(dāng)于有內(nèi)阻的恒壓源 UD(on)模 擬 電 子 技 術(shù)4. 二極管的分析方法圖解法微變等效電路法5. 特殊二極管工作條件 主要用途穩(wěn)壓二極管 反 偏 穩(wěn) 壓發(fā)光二極管 正 偏 發(fā) 光光敏二極管 反 偏 光電轉(zhuǎn)換模 擬 電 子 技 術(shù)三、兩種半導(dǎo)體放大器件雙極型半導(dǎo)體三極管 (晶體三極管 BJT)單極型半導(dǎo)體三極管 (場(chǎng)效應(yīng)管 FET)兩種載流子導(dǎo)電多數(shù)載流子導(dǎo)電晶體三極管1. 形式與結(jié)構(gòu) NPNPNP 三區(qū)、三極、兩結(jié)2. 特點(diǎn)基極電流控制集電極電流并實(shí)現(xiàn) 放大模 擬 電 子 技 術(shù)放大條件內(nèi)因：發(fā)射區(qū)載流子濃度高、 基區(qū)薄、集電區(qū)面積大外因： 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏3. 電流關(guān)系IE = IC + IBIC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEOIE = IC + IBIC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 模 擬 電 子 技 術(shù)4. 特性iC / mAuCE /V100 181。一般為幾 毫西 (mS)uGS /ViD /mAQO模 擬 電 子 技 術(shù)PDM = uDS iD，受溫度限制。IDSSuGS /ViD /mAO模 擬 電 子 技 術(shù)UGS(th)UGS(off)3. 直流輸入電阻 RGS指漏源間短路時(shí)，柵、源間加 反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。模 擬 電 子 技 術(shù)二、耗盡型 N 溝道 MOSFET輸出特性u(píng)GS /ViD /mA轉(zhuǎn)移特性IDSSUGS(off)夾斷電壓飽和漏極電流當(dāng) uGS ? UGS(off) 時(shí)，uDS /ViD /mAuGS = ? 4 V? 2 V0 V2 VO O模 擬 電 子 技 術(shù)三、 P 溝道 MOSFET增強(qiáng)型 耗盡型SGDBSGDB模 擬 電 子 技 術(shù)N 溝道 增強(qiáng)型SGDBiDP 溝道 增強(qiáng)型SGDBiD2 – 2 O uGS /ViD /mAUGS(th)SGDBiDN 溝道耗盡 型iDSGDBP 溝道耗盡 型UGS(off) IDSSuGS /ViD /mA– 5 O 5FET 符號(hào)、特性的比較模 擬 電 子 技 術(shù)O uDS /ViD /mA5 V2 V0 V–2 VuGS = 2 V0 V– 2 V– 5 VN 溝道結(jié) 型SGDiDSGDiDP 溝道結(jié) 型uGS /ViD /mA5– 5 OIDSSUGS(off)O uDS /ViD /mA5 V2 V0 VuGS = 0 V– 2 V– 5 V模 擬 電 子 技 術(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1. 開(kāi)啟電壓 UGS(th)(增強(qiáng)型 )2. 夾斷電壓 UGS(off)(耗盡型 ) 指 uDS = 某值，使漏極 電流 iD 為某一小電流時(shí) 的 uGS 值。預(yù)夾斷發(fā)生之后： uDS? iD 不變。預(yù)夾斷 (UGD = UGS(th))： 漏極附近反型層消失。 uGS 越大 溝道越厚。預(yù)夾斷當(dāng) uDS ?， 預(yù)
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