【正文】 AIB = 0O 3 6 9 124321放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)特點(diǎn)：1)iB 決定 iC (IC = ? IB )2)曲線水平表示恒流3)曲線間隔表示受控《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件5. 參數(shù)特性參數(shù)電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? )? = ? /(1 + ? )極間反向電流 ICBOICEO極限參數(shù)ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 區(qū)= (1 + ?) ICBO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件場(chǎng)效應(yīng)管1. 分類按導(dǎo)電溝道分 N 溝道P 溝道按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型(MOS)結(jié)型按特性分 增強(qiáng)型耗盡型 uGS = 0 時(shí)， iD = 0uGS = 0 時(shí)， iD ? 0增強(qiáng)型耗盡型(耗盡型 )導(dǎo)電溝道尚未形成導(dǎo)電溝道已經(jīng)存在《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 特點(diǎn)柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流壓控器件輸入電阻高，工藝簡(jiǎn)單，易集成由于 FET 無柵極電流，故采用 轉(zhuǎn)移特性 和輸出特性 描述3. 特性不同類型 FET 的特性比較參見 表 12 第 6 4頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件不同類型 FET 轉(zhuǎn)移特性比較結(jié)型N 溝道uGS /ViD /mAO增強(qiáng)型耗盡型MOS 管(耗盡型 ) IDSS 開啟電壓UGS(th)夾斷電壓 UGS(off)IDO 是 uGS = 2UGS(th) 時(shí)的 iD 值《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件四、晶體管電路的基本問題和分析方法三種工作狀態(tài)狀態(tài) 電流關(guān)系 ?條 ???件放大 I C = ? IB 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏飽和 I C ? ? IB 兩個(gè)結(jié)正偏I(xiàn)CS = ? IBS 集電結(jié)零偏臨界截止 IB 0, IC = 0 兩個(gè)結(jié)反偏判斷導(dǎo)通還是截止：UBE U(th) 則 導(dǎo)通以 NPN為 例：UBE U(th) 則 截止《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件判斷飽和還是放大：1. 電位判別法NPN 管 UC UB UE 放大UE UC ? UB 飽和PNP 管 UC UB UE 放大UE UC ? U B 飽和2. 電流判別法IB IBS 則 飽和 IB IBS 則 放大且 UB － UE ≥U th(正 ) 且 UB － UE ≤ Uth(負(fù) ) 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。A40 181。A80 181。A20 181。A60 181?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iDO uDU (BR)I FURM2. 主要參數(shù)主要參數(shù)正向 — 最大平均電流 IF反向 —最大反向工作電壓 U(BR)(超過則擊穿 )反向飽和電流 IR (IS)(受溫度影響 )IS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 二極管的等效模型理想模型 (大信號(hào)狀態(tài)采用 )uDiD正偏導(dǎo)通 電壓降為零 相當(dāng)于理想開關(guān)閉合反偏截止 電流為零 相當(dāng)于理想開關(guān)斷開恒壓降模型 UD(on)正偏電壓 ? UD(on) 時(shí)導(dǎo)通 等效為恒壓源 UD(on)否則截止，相當(dāng)于二極管支路斷開UD(on) = ( ? ) V 估算時(shí)取 V硅管：鍺管： ( ? ) V V折線近似模型相當(dāng)于有內(nèi)阻的恒壓源 UD(on)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件4. 二極管的分析方法圖解法微變等效電路法5. 特殊二極管工作條件 主要用途穩(wěn)壓二極管 反 偏 穩(wěn) 壓發(fā)光二極管 正 偏 發(fā) 光光敏二極管 反 偏 光電轉(zhuǎn)換《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、兩種半導(dǎo)體放大器件雙極型半導(dǎo)體三極管 (晶體三極管 BJT)單極型半導(dǎo)體三極管 (場(chǎng)效應(yīng)管 FET)兩種載流子導(dǎo)電多數(shù)載流子導(dǎo)電晶體三極管1. 形式與結(jié)構(gòu) NPNPNP 三區(qū)、三極、兩結(jié)2. 特點(diǎn)基極電流控制集電極電流并實(shí)現(xiàn) 放大流控器件《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件放大條件內(nèi)因：發(fā)射區(qū)載流子濃度高、 基區(qū)薄、集電區(qū)面積大外因： 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏3. 電流關(guān)系IE = IC + IBIC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEOIE = IC + IBIC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件4. 特性iC / mAuCE /V100 181。一般為幾 毫西 (mS)uGS /ViD /mAQO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件PDM = uDS iD，受溫度限制。IDSSuGS /ViD /mAO對(duì)增強(qiáng)型：UDS=0的情況下，導(dǎo)電溝道開始形成時(shí)的 UGS對(duì)耗盡型：UDS=0的情況下，導(dǎo)電溝道剛被完全夾斷時(shí)的 UGS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件UGS(th)UGS(off)3. 直流輸入電阻 RGS指漏源間短路時(shí)，柵、源間加 反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。 UDS進(jìn)一步增大，導(dǎo)電溝道消失部分向 S極端延伸擴(kuò)展。在 uGS = 0 時(shí)已存在足夠強(qiáng)的自柵極指向襯底的電場(chǎng) E，能吸引足夠多的電子形成溝道；在 DS 間加正電壓時(shí)將形成漏極電流 iD。當(dāng) UDS增大到使UGS － UDS ＝ UGD = UGS(th)時(shí) ,導(dǎo)電溝道首先在近 D極一側(cè)消失， UDS進(jìn)一步增大，導(dǎo)電溝道消失部分向 S極端延伸擴(kuò)展。 uGS 越大 溝道越厚。反型層(溝道 )《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件1)uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 (uDS = 0)a. 當(dāng) UGS = 0 ， DS 間為兩個(gè)背對(duì)背的 PN 結(jié)；b. 當(dāng) 0 UGS UGS(th)(開啟電壓 )時(shí)， GB 間的垂 直電場(chǎng)吸引 P 區(qū)中電子形成電子薄膜 ； 此時(shí) 溝道尚未形成 管子處于 截止?fàn)顟B(tài) ，無論 UDS如何增長(zhǎng)， ID都幾乎為 0。UDS增大 ，將使 ID隨之增大 ，管子工作在 可變電阻狀態(tài)處于可變電阻狀態(tài)的條件 : UGS （ off） ＜ UGS 0 UGS不足以讓導(dǎo)電溝道完全夾斷UGS(off) UGSUDS=UGD 0 UDS也還不足以使溝道預(yù)夾斷《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 轉(zhuǎn)移特性和輸出特性UGS(off)當(dāng) UGS(off) ? uGS ? 0 時(shí) (UGS還不足以夾斷導(dǎo)電溝道 ),UDS增大到使 UGSUDS=UGD ＜ UGS (off) 0 UDS使溝道預(yù)夾斷管子工作于飽和（放大）狀態(tài) 時(shí)uGSiD IDSSuDSiDuGS = – 3 V– 2 V– 1 V0 V– 3 VO O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件一、增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET ) MOS 場(chǎng)效應(yīng)管1. 結(jié)構(gòu)與符號(hào)P 型襯底(摻雜濃度低 )N+ N+ 用擴(kuò)散的方法制作兩個(gè) N 區(qū)在硅片表面生一層薄 SiO2 絕緣層S D用金屬鋁引出源極 S 和漏極 DG在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極 GB耗盡層S — 源極 SourceG — 柵極 Gate D — 漏極 DrainSGDB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 工作原理1)UGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 (UDS = 0， UGS0)UGS將引起一個(gè)由柵極 G指向襯底 P的電場(chǎng) E，它排斥 P型襯底中的空穴遠(yuǎn)離 SIO2薄膜，而吸引 P型襯底中的自由電子到 SIO2薄膜下形成電子層。而 D端的 PN結(jié)厚度取決于 UGD，且UGD ＝ VG VD=(VGVS) –(VD –VS)= UGS UDS＜ 0UDS增大會(huì)導(dǎo)致 UGD減小（更負(fù)），當(dāng) UDS增大到使UGD＜ UGS（ off）＜ 0時(shí)， PN結(jié)首先在 D端合攏，此時(shí)稱導(dǎo)電溝道被 預(yù)夾斷《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(2) UDS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響此時(shí) UGSUDS =UGD = UGS(off)；當(dāng) UDS ?, UGSUDS =UGD ＜ UGS(off)0夾斷區(qū)域擴(kuò)大， 預(yù)夾斷 點(diǎn) 下移。此時(shí)管子處于截至狀態(tài)?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(1) UGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負(fù)向