模擬電子技術(shù)第一章(參考版)
2025-01-07 03:59本頁面
【正文】 （ 6） 最大漏極功耗 PDM PDM= UDS ID，與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。 （ 4）輸入電阻 RGS 結(jié)型場效應(yīng)管， RGS大于 107Ω， MOS場效應(yīng)管 , RGS可達(dá) 109～ 1015Ω。 （ 2）夾斷電壓 UP UP 是 MOS耗盡型和結(jié)型 FET的參數(shù)，當(dāng) uGS=UP時 ,漏極電流為零。由于 MOS管 柵源間有 sio2絕緣層，輸入電阻可達(dá) 109～ 1015。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣 。 定義： 夾斷電壓（ UP） —— 溝道剛剛消失所需的柵源電壓 uGS， 也記為 uGS(off) 。 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子 。 當(dāng) uGS＞ 0時，溝道增寬， iD進(jìn)一步增加。 在輸出特性曲線上也可求出 gm。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：UT模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 一個重要參數(shù) —— 跨導(dǎo) gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (單位 mS) gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 （ d）擊穿區(qū)。 ① 輸出特性曲線： iD=f(uDS)?uGS=const（ b）恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)（預(yù)夾斷 后）。（ d） uds再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長， uds增加的部分基本降落在隨之 加長 的夾斷溝道上， id基本不變。 （截止區(qū)）（ b） uds ↑→ id↑； 同時溝道靠漏區(qū)變窄。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 ② 漏源電壓 uDS對漏極電流 id的控制作用 當(dāng) uGS＞ UT，且固定為某一值時，來分析漏源電壓 VDS對漏極電流 ID的影響。 N溝道增強型 MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞ UT，管子導(dǎo)通。 再增加 uGS→ 縱向電場 ↑→ 將 P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 → 形成導(dǎo)電溝道，如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。符號：二氧化硅絕緣層通常將襯底與源極接在一起模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 當(dāng) uGS＞ 0V時 → 縱向電場→ 將靠近柵極下方的空穴向下排斥 → 耗盡層。（請大家自學(xué)） P溝道結(jié)型場效應(yīng)管模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁二 . 絕緣柵場效應(yīng)三極管 絕緣柵型場效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，簡稱 MOSFET。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 P溝道 結(jié)型場效應(yīng)管 的工作原理與 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。 （ d）擊穿區(qū)。 （ b）恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)（預(yù)夾斷 后）。 （ 3）柵源電壓 uGS和漏源電壓 uDS共同 作用 iD=f（ uGS 、 uDS） ,可用輸兩組特性曲線來描繪。預(yù)夾斷后， iDS↑→ iD 幾乎不變。③ 當(dāng) uDS ↑，使 uGD=uG S uDS=UP時，在靠漏極處夾斷 —— 預(yù)夾斷。 ① 當(dāng) uDS=0時， iD=0。定義： 夾斷電壓 UP—— 使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源電壓uGS。② 當(dāng) │uGS│↑時， PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁一 . 結(jié)型場效應(yīng)管 1. 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)（以 N溝為例）：兩個 PN結(jié)夾著一個 N型溝道。增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道FET分類： 絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管（ Field Effect Transistor簡稱 FET）是一種電壓控制器件 (uGS~ iD) ，工作時，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。A80 181。A40 181。 (BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁0IB= 0 181。③ U（ BR） CEO—— 基極開路時，集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓。 ② U（ BR） CBO—— 發(fā)射極開路時，集電極與基極之間允許的最大反向電壓。（ 1）集電極最大允許電流 ICM（ 2）集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗， PC= ICUCE PCM PCM模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 （ 3）反向擊穿電壓 BJT有兩個 PN結(jié)，其反向擊穿電壓有以下幾種： ① U（ BR） EBO—— 集電極開路時，發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓。++ICBOecb ICEO模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 Ic增加時， ? 要下降。 其大小與溫度有關(guān)。 （ 1）集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時，在其集電結(jié)上加反向電壓，得到反向電流。 該區(qū)中有：飽和區(qū) 放大區(qū)截止區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四、 BJT的主要參數(shù)（ 2）共基極電流放大系數(shù)： iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0 (V)=80uAI△BBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取 20~200之間（ 1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)：直流（靜態(tài)）交流（動態(tài)）模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 （ 2）集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時，集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。A嚴(yán)格地說還有一個擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ V。A截止區(qū)飽和區(qū) 60 181。A20181。同理，可作出 iB=其
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