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模擬電子技術(shù)第一章(參考版)

2025-01-07 03:59本頁面
  

【正文】 ( 6) 最大漏極功耗 PDM PDM= UDS ID,與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。 ( 4)輸入電阻 RGS 結(jié)型場效應(yīng)管, RGS大于 107Ω, MOS場效應(yīng)管 , RGS可達(dá) 109~ 1015Ω。 ( 2)夾斷電壓 UP UP 是 MOS耗盡型和結(jié)型 FET的參數(shù),當(dāng) uGS=UP時 ,漏極電流為零。由于 MOS管 柵源間有 sio2絕緣層,輸入電阻可達(dá) 109~ 1015。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣 。 定義: 夾斷電壓( UP) —— 溝道剛剛消失所需的柵源電壓 uGS, 也記為 uGS(off) 。 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子 。 當(dāng) uGS> 0時,溝道增寬, iD進(jìn)一步增加。 在輸出特性曲線上也可求出 gm。例:作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線:UT模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 一個重要參數(shù) —— 跨導(dǎo) gm: gm=?iD/?uGS? uDS=const (單位 mS) gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 ( d)擊穿區(qū)。 ① 輸出特性曲線: iD=f(uDS)?uGS=const( b)恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)(預(yù)夾斷 后)。( d) uds再增加,預(yù)夾斷區(qū)加長, uds增加的部分基本降落在隨之 加長 的夾斷溝道上, id基本不變。 (截止區(qū))( b) uds ↑→ id↑; 同時溝道靠漏區(qū)變窄。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 ② 漏源電壓 uDS對漏極電流 id的控制作用 當(dāng) uGS> UT,且固定為某一值時,來分析漏源電壓 VDS對漏極電流 ID的影響。 N溝道增強型 MOS管的基本特性: uGS < UT,管子截止, uGS > UT,管子導(dǎo)通。 再增加 uGS→ 縱向電場 ↑→ 將 P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 → 形成導(dǎo)電溝道,如果此時加有漏源電壓,就可以形成漏極電流 id。符號:二氧化硅絕緣層通常將襯底與源極接在一起模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 當(dāng) uGS> 0V時 → 縱向電場→ 將靠近柵極下方的空穴向下排斥 → 耗盡層。(請大家自學(xué)) P溝道結(jié)型場效應(yīng)管模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁二 . 絕緣柵場效應(yīng)三極管 絕緣柵型場效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱 MOSFET。例:作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線:模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 P溝道 結(jié)型場效應(yīng)管 的工作原理與 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 完全相同,只不過導(dǎo)電的載流子不同,供電電壓極性不同而已。 ( d)擊穿區(qū)。 ( b)恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)(預(yù)夾斷 后)。 ( 3)柵源電壓 uGS和漏源電壓 uDS共同 作用 iD=f( uGS 、 uDS) ,可用輸兩組特性曲線來描繪。預(yù)夾斷后, iDS↑→ iD 幾乎不變。③ 當(dāng) uDS ↑,使 uGD=uG S uDS=UP時,在靠漏極處夾斷 —— 預(yù)夾斷。 ① 當(dāng) uDS=0時, iD=0。定義: 夾斷電壓 UP—— 使導(dǎo)電溝道完全合攏(消失)所需要的柵源電壓uGS。② 當(dāng) │uGS│↑時, PN結(jié)反偏,耗盡層變寬,導(dǎo)電溝道變窄,溝道電阻增大。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁一 . 結(jié)型場效應(yīng)管 1. 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)(以 N溝為例):兩個 PN結(jié)夾著一個 N型溝道。增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道FET分類: 絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管( Field Effect Transistor簡稱 FET)是一種電壓控制器件 (uGS~ iD) ,工作時,只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型器件。A80 181。A40 181。 (BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁0IB= 0 181。③ U( BR) CEO—— 基極開路時,集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓。 ② U( BR) CBO—— 發(fā)射極開路時,集電極與基極之間允許的最大反向電壓。( 1)集電極最大允許電流 ICM( 2)集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗, PC= ICUCE PCM PCM模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 ( 3)反向擊穿電壓 BJT有兩個 PN結(jié),其反向擊穿電壓有以下幾種: ① U( BR) EBO—— 集電極開路時,發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓。++ICBOecb ICEO模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 Ic增加時, ? 要下降。 其大小與溫度有關(guān)。 ( 1)集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時,在其集電結(jié)上加反向電壓,得到反向電流。 該區(qū)中有:飽和區(qū) 放大區(qū)截止區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四、 BJT的主要參數(shù)( 2)共基極電流放大系數(shù): iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0 (V)=80uAI△BBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取 20~200之間( 1)共發(fā)射極電流放大系數(shù):直流(靜態(tài))交流(動態(tài))模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 ( 2)集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時,集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域,相當(dāng) iB=0的曲線的下方。A嚴(yán)格地說還有一個擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi) uCE< V。A截止區(qū)飽和區(qū) 60 181。A20181。同理,可作出 iB=其
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