【正文】 首頁(yè) 下頁(yè) 二極管按結(jié)構(gòu)分三大類：(1) 點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng) → 耗盡層變窄 → 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)→ 多子 擴(kuò)散形成正向電流 I F正向電流模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) —— 電源正極接 N區(qū)，負(fù)極接 P區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。電子空穴對(duì)的濃度一定。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 這一現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) ， 也稱 熱激發(fā) 。 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管本章目錄 點(diǎn)擊即可進(jìn)入學(xué)習(xí)習(xí)題解答總目錄模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)一、半導(dǎo)體及其導(dǎo)電特性 在物理學(xué)中。 當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛電子能量增高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為 自由電子 。常溫 300K時(shí)：電子空穴對(duì)的濃度硅：鍺：自由電子+4+4 +4+4+4+4+4 +4+4空穴電子空穴對(duì)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)導(dǎo)電機(jī)制： 在外電場(chǎng)作用下， 電子 和 空穴 均能參與導(dǎo)電。 外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng) → 耗盡層變寬 → 漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→ 少子漂移形成反向電流 I RP N 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故 IR基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān) ， 所以稱為 反向飽和電流 。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)(3) 平面型二極管 用于集成電路制造工藝中。(2) 反向擊穿電壓 UBR——— 二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓 UBR。硅管 ；鍺管 。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)一、 BJT的結(jié)構(gòu)NPN型 PNP型符號(hào) : 三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) :（ 1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（ 3） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。這時(shí)，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。A嚴(yán)格地說(shuō)還有一個(gè)擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ V。 （ 1）集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，在其集電結(jié)上加反向電壓，得到反向電流。 ② U（ BR） CBO—— 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間允許的最大反向電壓。A80 181。定義： 夾斷電壓 UP—— 使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源電壓uGS。 （ 3）柵源電壓 uGS和漏源電壓 uDS共同 作用 iD=f（ uGS 、 uDS） ,可用輸兩組特性曲線來(lái)描繪。（請(qǐng)大家自學(xué)） P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)二 . 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，簡(jiǎn)稱 MOSFET。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) ② 漏源電壓 uDS對(duì)漏極電流 id的控制作用 當(dāng) uGS＞ UT，且固定為某一值時(shí)，來(lái)分析漏源電壓 VDS對(duì)漏極電流 ID的影響。 （ d）擊穿區(qū)。 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子 。 （ 2）夾斷電壓 UP UP 是 MOS耗盡型和結(jié)型 FET的參數(shù)，當(dāng) uGS=UP時(shí) ,漏極電流為零。 （ 4）輸入電阻 RGS 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管， RGS大于 107Ω， MOS場(chǎng)效應(yīng)管 , RGS可達(dá) 109～ 1015Ω。 定義： 夾斷電壓（ UP） —— 溝道剛剛消失所需的柵源電壓 uGS， 也記為 uGS(off) 。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：UT模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 一個(gè)重要參數(shù) —— 跨導(dǎo) gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (單位 mS) gm的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 （截止區(qū)）（ b） uds ↑→ id↑； 同時(shí)溝道靠漏區(qū)變窄。符號(hào)：二氧化硅絕緣層通常將襯底與源極接在一起模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 當(dāng) uGS＞ 0V時(shí) → 縱向電場(chǎng)→ 將靠近柵極下方的空穴向下排斥 → 耗盡層。 （ b）恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)（預(yù)夾斷 后）。 ① 當(dāng) uDS=0時(shí)， iD=0。增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道FET分類： 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管（ Field Effect Transistor簡(jiǎn)稱 FET）是一種電壓控制器件 (uGS~ iD) ，工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。③ U（ BR） CEO—— 基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓。 其大小與溫度有關(guān)。截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。同理，可作出 iB=其他值的曲線。AIB =60181。N NP發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)e cb發(fā)射極 集電極基極P PN發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)e cb發(fā)射極 集電極基極模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)N型硅二氧化硅保護(hù)膜B ECN+P型硅（ a） 平面型N型鍺ECB銦 球銦 球PP+（ b）合金型模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) NPN 型三極管集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)NN集電極 C基極 B發(fā)射極 E 再?gòu)?qiáng)化一下三極管的結(jié)構(gòu) 分類和符號(hào)PECB符號(hào)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)　　CBEN集電極 C發(fā)射極 E基極 BNPPN PNP型三極管符號(hào)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) UCEECRC ICCEBUBE共發(fā)射極 接法放大電路二、二、 三極管的電流分配和放大原理三極管的電流分