模擬電子技術第一章-文庫吧資料
2025-01-09 03:59本頁面
【正文】 他值的曲線。這時，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。（ 2） uCE ↑ → Ic ↑ 。AIB = 常數(shù)IC = f (UCE )2. 三極管的輸出特性模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁現(xiàn)以 iB=60uA一條加以說明。AIB =60181。模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁（ 3） uCE ≥1V再增加時，曲線右移很不明顯。（ 2）當 uCE=1V時， 集電結已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結正偏：+UCE －＋UBE－＋UCB－集電結反偏：由 VBB保證由 VCC、 VBB保證UCB=UCE UBE 0 反偏 共發(fā)射極接法c區(qū)b區(qū)e區(qū)共發(fā)射極接法原理圖UBE0 正偏模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁BJT內部的載流子傳輸過程模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁電流分配關系三個電極上的電流關系 : IE =IC+IB定義：(1)IC與 I E之間的關系 :所以 :其值的大小約為 ～ 。N NP發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結 集電結e cb發(fā)射極 集電極基極P PN發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結 集電結e cb發(fā)射極 集電極基極模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁N型硅二氧化硅保護膜B ECN+P型硅（ a） 平面型N型鍺ECB銦 球銦 球PP+（ b）合金型模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 NPN 型三極管集電區(qū)集電結基區(qū)發(fā)射結發(fā)射區(qū)NN集電極 C基極 B發(fā)射極 E 再強化一下三極管的結構 分類和符號PECB符號模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁集電區(qū)集電結基區(qū)發(fā)射結發(fā)射區(qū) CBEN集電極 C發(fā)射極 E基極 BNPPN PNP型三極管符號模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 UCEECRC ICCEBUBE共發(fā)射極 接法放大電路二、二、 三極管的電流分配和放大原理三極管的電流分配和放大原理三極管具有電流控制作用的外部條件 : （ 1）發(fā)射結正向偏置；（ 2）集電結反向偏置。模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁一、 BJT的結構NPN型 PNP型符號 : 三極管的結構特點 :（ 1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，因此，還被稱為 雙極型晶體管 （Bipolar Junction Transistor,簡稱 BJT）。 (4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax—— 超過 Izmax穩(wěn)壓管會因功耗過大而燒壞。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。硅管 ；鍺管 。 模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁DE3VRui uouR uD 例 2：下圖是 二極管 限幅電路， D為理想二極管（忽略管壓降）， ui = 6 sin? t V, E= 3V,試畫出 uo波形 。 解： DA優(yōu)先導通，則VY=3–=DA導通后 , DB因反偏而截止 ,起隔離作用 , DA起鉗位作用 ,將 Y端的電位鉗制在 +。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。(2) 反向擊穿電壓 UBR——— 二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓 UBR。2代表二極管， 3代表三極管。代表器件的類型， P為普通管， Z為整流管， K為開關管。(2) 面接觸型二極管 PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁(3) 平面型二極管 用于集成電路制造工藝中。 (1) 勢壘電容 CB模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁(2) 擴散電容 CD 當外加正向電壓不同時， PN結兩側堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當電容的充放電過程 。 PN 結的單向導電性小結結的單向導電性小結模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁（三） PN結 的伏安特性曲線及表達式 根據(jù)理論推導， PN結的伏安特性曲線如圖正偏IF（多子擴散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿 —— 燒壞 PN結電擊穿 —— 可逆模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 根據(jù)理論分析：u 為 PN結兩端的電壓降i 為流過 PN結的電流IS 為反向飽和電流UT =kT/q 稱為溫度的電壓當量其中 k為玻耳茲曼常數(shù) 10－ 23q 為電子電荷量 10－ 9T 為熱力學溫度 對于室溫（相當 T=300 K）則有 UT=26 mV。 模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 PN結加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結導通； PN結加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結截止。 外電場加強內電場 → 耗盡層變寬 → 漂移運動＞擴散運動→ 少子漂移形成反向電流 I RP N 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故 IR基本上與外加反壓的大小無關 ， 所以稱為 反向飽和電流 。模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 PN 結的形成動畫演示結的形成動畫演示模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁（二）（二） PN 結的單向導電性結的單向導電性模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁1. 加正向電壓（正偏） — 電源正極接 P區(qū)，負極接 N區(qū) 外電場的方向與內電場方向相反。 模擬電子技術第一章上頁 首頁 下頁 在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼、鎵等。1. N型半導體 在本征半導體中摻入五價雜質元素，例如磷，砷等，稱為 N型半導體 。常溫 300K時：電子空穴對的濃度硅
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