模擬電子技術(shù)第4章-文庫吧資料
2025-01-09 03:59本頁面
【正文】 結(jié)開始吸引電子 )導(dǎo)通電壓 UBE(on) 硅管： ( ? ) V鍺管： ( ? ) V 取 V取 V特點： 增加 UCE ，曲線右移、 ib減小、繼續(xù)增大 UCE ，曲線和 ib不變（二）、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。VCC VCC+PPNVBB VBB+P NN圖 三極管外加電源的極性 若規(guī)定 PNP中各極電流 IB、 IC、 IE的方向與實際方向 一致，而電壓 UBE仍為 b e,UCE仍為 c e,則 UBE與 UCE與實際方向相反。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。第三節(jié) 雙極型晶體第三節(jié) 雙極型晶體 管管 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù) 晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用 溫度對晶體管參數(shù)的影響 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB分類 ：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP按使用頻率分： 低頻管、高頻管大功率管 1 W中功率管 ?1 W二、晶體管電流分配關(guān)系和放大作用三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高于集電區(qū)，集電區(qū)摻雜濃度高于基區(qū)基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏（一）晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。流 過穩(wěn)壓 管的 電 流 為 ： 。若正向偏置可作為理想二極管正向偏置工作，當(dāng)反向偏置電壓小于UZ時，穩(wěn)壓管截止。幾 ? ? 幾十 ?5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT一般，UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負(fù)溫度系數(shù)；UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)；4 V UZ 7 V， CTV 很小。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時不穩(wěn)壓。+UZ動態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。當(dāng) U《 UR+UC時，二極管 D截止，開關(guān)斷開，輸出電壓 U0=U。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用（一）、理想二極管特性uDiD符號及等效模型 S S正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ?（二）、二極管正向壓降等效電路uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)（三）二極管電路的分析方法構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。電擊穿硅管的伏安特性 鍺管的伏安特性604020– – 0 –25–50iD / mAuD / ViD / mAuD / – 25– 5051015––0溫度對二極管特性的影響604020– 0 –25–50iD / mAuD / V20?C90?CT 升高時，UD(on)以 (2 ? ) mV/ ?C 下降三、 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O1. 最大整流電流 IF二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。— PN 結(jié)燒毀。 (擊穿電壓 6 V， 負(fù) 溫度系
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