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模擬電子技術(shù)第4章(留存版)

2025-02-04 03:59上一頁面

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【正文】 VBB VBB+P NN圖 三極管外加電源的極性 若規(guī)定 PNP中各極電流 IB、 IC、 IE的方向與實(shí)際方向 一致,而電壓 UBE仍為 b e,UCE仍為 c e,則 UBE與 UCE與實(shí)際方向相反。A10 181。注意:五、溫度對特性曲線的影響1. 溫度對 ICBO的影響 溫度升高,輸入特性曲線 向左移。集 射極反向擊穿電壓當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時(shí),三極管就會(huì)被擊穿。A30 181。IE少數(shù)與空穴復(fù)合,形成 IBN 。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用(一)、理想二極管特性u(píng)DiD符號(hào)及等效模型 S S正偏導(dǎo)通, uD = 0;反偏截止, iD = 0 U(BR) = ?(二)、二極管正向壓降等效電路uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)(三)二極管電路的分析方法構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近,形成一定的多子濃度梯度分布曲線。濃度差越大 → 擴(kuò)散能力越強(qiáng) → 擴(kuò)散電流越大擴(kuò)散電流大小 → 同載流子濃度差或擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)快慢成正比 (三)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)3. 擴(kuò)散和漂移達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散電流 等于漂移電流, 總電流 I = 0。(二)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 制作半導(dǎo)體件最常用的材料:硅( Si)、鍺( Ge)① 晶體:原子按一定規(guī)律整齊排列的物質(zhì)單晶體:原子與原子之間通過共價(jià)鍵連接起來 第一節(jié) 第一節(jié)  PN結(jié)結(jié)Ge Si通過一定的工藝過程,可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。 IF限流電阻擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成正向電流 IF ?!?PN 結(jié)未損壞,斷電即恢復(fù)。波形圖如下:五、 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax?UZ?IZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡,電壓越穩(wěn)定。此時(shí)有 IB、 IC、 IE為 正值 , UBE和 UCE將為 負(fù)值 。AIB = 0O 2 4 6 8 4321四、晶體管的主要參數(shù)(一)、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)— 直流電流放大系數(shù) ? — 交流電流放大系數(shù)一般為幾十 ? 幾百Q(mào)iC / mAuCE /V50 181。溫度每升高 1?C, UBE ? (2 ? ) mV。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO集電極最大電流 ICM集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的下降,當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。A40 181。I CN多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。下面介紹兩個(gè)交流參數(shù)。因 PN結(jié)正偏時(shí),由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子,與外電源提供的空穴相復(fù)合,形成正向電流。② 擴(kuò)散電流:物質(zhì)由高濃度的地方向低濃度的地方運(yùn)動(dòng)所形成的電流?,F(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。IF = I多子 ? I少子 ? I多子2. 外加 反向 電壓 (反向偏置 ) — reverse bias P 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場外電場外電場使少子背離 PN 結(jié)移動(dòng), 空間電荷區(qū)變寬?!?PN 結(jié)燒毀。+UZ動(dòng)態(tài)電阻:rz越小,穩(wěn)壓性能越好。 ( — )( — )( +)( +)UCEUBEIBICIEUCEUBEIBICIE++——(實(shí)際方向) (規(guī)定正方向)NPN管 PNP管 截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū)結(jié)的偏置 發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏電流關(guān)系IB 、 IC、 IEIE= IB + IC =?IB 0 =?IC 0電位關(guān)系UB 、 UC、 UEUB UEUB UEUB UCUB UCUB UEUB UEUB UCUB UCUCUB UEUCUB UE =?IC β IBIC = β IB+(1+β) ICEOIC= βIBIB IBSIBS=ICSβNPN與 PNP管的情況如下 :(一
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