【正文】 強(qiáng)。其大小與溫度有關(guān)。A60 181。④ uDS再 ↑，預(yù)夾斷點(diǎn)下移。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓 uDS作用下，漏極電流 ID越大。 當(dāng) uGS＜ 0時(shí)，溝道變窄， iD減小。（ 5） 低頻跨導(dǎo) gm gm反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用，單位是 mS(毫西門子 )。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。（ 2）工作原理 當(dāng) uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的 二極管，在d、 s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。② uDS↑→ iD ↑ → 靠近漏極處 的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。 在實(shí)際使用時(shí)，還有U（ BR） CER、 U（ BR） CES等擊穿電壓。 此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。AUCE 0IC IB增加IB 減小IB = 20181。 (3) 最小穩(wěn)定工作 電流 IZmin—— 保證穩(wěn)壓管擊穿所對(duì)應(yīng)的電流，若 IZ＜ IZmin則不能穩(wěn)壓。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁半導(dǎo)體二極管圖片模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁半導(dǎo)體二極管的型號(hào)國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁N型半導(dǎo)體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子 —— 自由電子少數(shù)載流子 —— 空穴++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對(duì)在硅或鍺的晶體中摻入少量的五價(jià)元 素 ,如磷 ,則形成 N型半導(dǎo)體。硅原子 鍺原子硅和鍺最外層軌道上的四個(gè)電子稱為 價(jià)電子 。 它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦孕〗Y(jié)結(jié)的單向?qū)щ娦孕〗Y(jié)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（三） PN結(jié) 的伏安特性曲線及表達(dá)式 根據(jù)理論推導(dǎo)， PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏I(xiàn)F（多子擴(kuò)散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿 —— 燒壞 PN結(jié)電擊穿 —— 可逆模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 根據(jù)理論分析：u 為 PN結(jié)兩端的電壓降i 為流過 PN結(jié)的電流IS 為反向飽和電流UT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量其中 k為玻耳茲曼常數(shù) 10－ 23q 為電子電荷量 10－ 9T 為熱力學(xué)溫度 對(duì)于室溫（相當(dāng) T=300 K）則有 UT=26 mV。 解： DA優(yōu)先導(dǎo)通，則VY=3–=DA導(dǎo)通后 , DB因反偏而截止 ,起隔離作用 , DA起鉗位作用 ,將 Y端的電位鉗制在 +。若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)正偏：+UCE －＋UBE－＋UCB－集電結(jié)反偏：由 VBB保證由 VCC、 VBB保證UCB=UCE UBE 0 反偏 共發(fā)射極接法c區(qū)b區(qū)e區(qū)共發(fā)射極接法原理圖UBE0 正偏模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁BJT內(nèi)部的載流子傳輸過程模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁電流分配關(guān)系三個(gè)電極上的電流關(guān)系 : IE =IC+IB定義：(1)IC與 I E之間的關(guān)系 :所以 :其值的大小約為 ～ 。A20181。++ICBOecb ICEO模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 Ic增加時(shí)， ? 要下降。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁一 . 結(jié)型場效應(yīng)管 1. 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)（以 N溝為例）：兩個(gè) PN結(jié)夾著一個(gè) N型溝道。 （ d）擊穿區(qū)。（ d） uds再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長， uds增加的部分基本降落在隨之 加長 的夾斷溝道上， id基本不變。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣 。由于 MOS管 柵源間有 sio2絕緣層，輸入電阻可達(dá) 109～ 1015。 ① 輸出特性曲線： iD=f(uDS)?uGS=const（ b）恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)（預(yù)夾斷 后）。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 P溝道 結(jié)型場效應(yīng)管 的工作原理與 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。② 當(dāng) │uGS│↑時(shí)， PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。（ 1）集電極最大允許電流 ICM（ 2）集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗， PC= ICUCE PCM PCM模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 （ 3）反向擊穿電壓 BJT有兩個(gè) PN結(jié)，其反向擊穿電壓有以下幾種： ① U（ BR） EBO—— 集電極開路時(shí)，發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓。A截止區(qū)飽和區(qū) 60 181。（ 2）當(dāng) uCE=1V時(shí)， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁DE3VRui uouR uD 例 2：下圖是 二極管 限幅電路， D為理想二極管（忽略管壓降）， ui = 6 sin? t V, E= 3V,試畫出 uo波形 。 (1) 勢壘電容 CB模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁(2) 擴(kuò)散電容 CD 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)， PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過程 。 與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象 —— 復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（二） 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。導(dǎo)通壓降二極管的 V—A 特性模