模擬電子技術第4章(文件)
【正文】 3AX31D、 3DG123C、 3DK100B 第四章 完謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)% 。注意：五、溫度對特性曲線的影響1. 溫度對 ICBO的影響 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。U(BR)EBO — 集電極極開路時 E、 B 極 間反向擊穿電壓。cμAICBOb eceμAICEObICBO集電極和基極之間的反向飽和電流 ICEO集電極和發(fā)射極之間的穿透電流發(fā)射極開路基極開路（三）、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過時 ? 值明顯降低。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結正偏 集電結反偏特點： ICEOI B 0, UCE UBEuBE 0、 u BC 0 固定 iB不變情況下： iC基本不隨uCE的變化，而隨 iB的變化而變化iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。VCC VCC+PPNVBB VBB+P NN圖 三極管外加電源的極性 若規(guī)定 PNP中各極電流 IB、 IC、 IE的方向與實際方向 一致，而電壓 UBE仍為 b e,UCE仍為 c e,則 UBE與 UCE與實際方向相反。第三節(jié) 雙極型晶體第三節(jié) 雙極型晶體 管管 晶體管的結構和類型 晶體管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù) 晶體管的電流分配關系和放大作用 溫度對晶體管參數(shù)的影響 晶體三極管一、結構、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結集電結— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB分類 ：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結構分： NPN、 PNP按使用頻率分： 低頻管、高頻管大功率管 1 W中功率管 ?1 W二、晶體管電流分配關系和放大作用三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高于集電區(qū)，集電區(qū)摻雜濃度高于基區(qū)基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結面積大外部條件 發(fā)射結正偏集電結反偏（一）晶體管內(nèi)部載流子的運動1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。若正向偏置可作為理想二極管正向偏置工作，當反向偏置電壓小于UZ時，穩(wěn)壓管截止。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時不穩(wěn)壓。當 U《 UR+UC時，二極管 D截止，開關斷開，輸出電壓 U0=U。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要應用于整流、限幅、保護等等。 IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。電擊穿硅管的伏安特性 鍺管的伏安特性604020– – 0 –25–50iD / mAuD / ViD / mAuD / – 25– 5051015––0溫度對二極管特性的影響604020– 0 –25–50iD / mAuD / V20?C90?CT 升高時，UD(on)以 (2 ? ) mV/ ?C 下降三、 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作
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