模擬電子技術(shù)第4章(編輯修改稿)
2025-01-23 03:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 FURM O1. 最大整流電流 IF二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2. 反向擊穿電壓 UBR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓 UR一般是 UBR的一半。 IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護等等。下面介紹兩個交流參數(shù)。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用（一）、理想二極管特性uDiD符號及等效模型 S S正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ?（二）、二極管正向壓降等效電路uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)（三）二極管電路的分析方法構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。(按理想模型 )O tui / V15RLD1D4D2D3ui BA uOO tuO/ V153. 參數(shù)估算1) 整流輸出電壓平均值2) 二極管平均電流3) 二極管最大反向壓?to?to?to?to? 2? 3?? 2? 3?Im??2?2?3?3?uOu2uDiD = iOn負載電阻 RL中流過的電流 iO的平均值 IO為二極管組成的限幅電路：當(dāng) U》 0且 U》 UR+UD時，二極管 D導(dǎo)通，開關(guān)閉合，輸出電壓 U0=UD+UR。當(dāng) U《 UR+UC時，二極管 D截止，開關(guān)斷開，輸出電壓 U0=U。波形圖如下：五、 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax?UZ?IZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。+UZ動態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。一、結(jié)構(gòu)二、特性利用 PN結(jié)的反向擊穿特性實現(xiàn)穩(wěn)壓作用穩(wěn)壓管反向擊穿后：反向電流變化很大、反向擊穿電壓變化很小主要參數(shù)1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時穩(wěn)壓管 兩端的反向電壓值。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時不穩(wěn)壓。3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM4. 動態(tài)電阻 rZrZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。幾 ? ? 幾十 ?5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT一般，UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負溫度系數(shù)；UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)；4 V UZ 7 V， CTV 很小。 穩(wěn)壓二極管在工作時應(yīng)反接，并串入一只電阻。若正向偏置可作為理想二極管正向偏置工作，當(dāng)反向偏置電壓小于UZ時，穩(wěn)壓管截止。 (c)當(dāng) UUZ時 ， 穩(wěn)壓 管 DZ擊 穿 穩(wěn)壓 。流 過穩(wěn)壓 管的 電 流 為 ： 。適當(dāng) 選擇 參數(shù) RZ的阻 值 ，使流 過穩(wěn)壓 管的 電 流在 穩(wěn)壓 管參數(shù) —— 穩(wěn) 定 電流 IZ和最大 電 流 IZM之 間U電阻的作用一是起限流作用，以保護穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。第三節(jié) 雙極型晶體第三節(jié) 雙極型晶體 管管 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù) 晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用 溫度對晶體管參數(shù)的影響 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB分類 ：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結(jié)構(gòu)分： NPN、
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