模擬電子技術(shù)第4章-文庫吧在線文庫
【正文】 中電子空穴成對出現(xiàn)，且數(shù)量少； 2. 半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電； 3. 本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力弱，并與溫度有關(guān) ?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。自由電子：價電子獲得足夠的能量掙脫慣性核的束縛 (溫度 0 176。② 擴散電流：物質(zhì)由高濃度的地方向低濃度的地方運動所形成的電流。漂移運動加強形成反向電流 IRIR = I少子 ? 0四、 PN結(jié)的特性（一） PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? 1. 外加 正向 電壓 (正向偏置 ) PN結(jié)加正向電壓 當(dāng) P區(qū)接 “+”， N區(qū)接 “”，稱為 PN結(jié)正向偏置（ 正偏 ）。因 PN結(jié)正偏時，由 N區(qū)擴散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。2. 反向擊穿電壓 UBR二極管反向擊穿時的電壓值。下面介紹兩個交流參數(shù)。3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM4. 動態(tài)電阻 rZrZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。I CN多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴散形成 ICN。A20 181。A40 181。A10 181。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO集電極最大電流 ICM集電極電流 IC上升會導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。輸出特性曲線間距增大。溫度每升高 1?C， UBE ? (2 ? ) mV。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。AIB = 0O 2 4 6 8 4321四、晶體管的主要參數(shù)（一）、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)— 直流電流放大系數(shù) ? — 交流電流放大系數(shù)一般為幾十 ? 幾百Q(mào)iC / mAuCE /V50 181。A30 181。此時有 IB、 IC、 IE為 正值 ， UBE和 UCE將為 負(fù)值 。 (c)當(dāng) UUZ時 ， 穩(wěn)壓 管 DZ擊 穿 穩(wěn)壓 。波形圖如下：五、 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax?UZ?IZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好?！?PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。結(jié)論：（二） PN 結(jié)的伏安特性反向飽和電流溫度的電壓當(dāng)量電子電量玻爾茲曼常數(shù)當(dāng) T = 300(27?C)：UT = 26 mVO u /VI /mA正向特性反向擊穿加正向電壓時加反向電壓時 i≈–IS(四） PN結(jié) 的極間電容電容由兩部分組成： 勢壘電容 CB和 擴散電容 CD。 IF限流電阻擴散運動加強形成正向電流 IF 。 在室溫或光照下價電子獲得足夠能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子，并在共價鍵中留下一個空位 (空穴 )的過程。（二）半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 制作半導(dǎo)體件最常用的材料：硅（ Si）、鍺（ Ge）① 晶體：原子按一定規(guī)律整齊排列的物質(zhì)單晶體：原子與原子之間通過共價鍵連接起來 第一節(jié) 第一節(jié) PN結(jié)結(jié)Ge Si通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。 K時 )帶負(fù)電荷的物質(zhì) —— 又稱電子載流，這是由熱激發(fā)而來的空穴：價電子成為自由電子時 ,原共價鍵留下了一個空位—— 帶正電荷的物質(zhì)，即空穴載流子。濃度差越大 → 擴散能力越強 → 擴散電流越大擴散電流大小 → 同載流子濃度差或擴散運動快慢成正比 （三）載流子的漂移運動和擴散運動3. 擴散和漂移達(dá)到 動態(tài)平衡擴散電流 等于漂移電流， 總電流 I = 0。 PN結(jié)呈導(dǎo)通狀態(tài)，電阻很小。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用（一）、理想二極管特性uDiD符號及等效模型 S S正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ?（二）、二極管正向壓降等效電路uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)（三）二極管電路的分析方法構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (
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