模擬電子技術第4章-wenkub.com
2025-01-03 03:59 本頁面
【正文】 輸出特性曲線間距增大。溫度每升高 1?C， UBE ? (2 ? ) mV。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO集電極最大電流 ICM集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 4321四、晶體管的主要參數（一）、電流放大系數1. 共發(fā)射極電流放大系數— 直流電流放大系數 ? — 交流電流放大系數一般為幾十 ? 幾百QiC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。此時有 IB、 IC、 IE為 正值 ， UBE和 UCE將為 負值 。I CN多數向 BC 結方向擴散形成 ICN。 (c)當 UUZ時 ， 穩(wěn)壓 管 DZ擊 穿 穩(wěn)壓 。3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM4. 動態(tài)電阻 rZrZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。波形圖如下：五、 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax?UZ?IZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。下面介紹兩個交流參數。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。2. 反向擊穿電壓 UBR二極管反向擊穿時的電壓值?！?PN 結未損壞，斷電即恢復。因 PN結正偏時，由 N區(qū)擴散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。結論：（二） PN 結的伏安特性反向飽和電流溫度的電壓當量電子電量玻爾茲曼常數當 T = 300(27?C)：UT = 26 mVO u /VI /mA正向特性反向擊穿加正向電壓時加反向電壓時 i≈–IS(四） PN結 的極間電容電容由兩部分組成： 勢壘電容 CB和 擴散電容 CD。漂移運動加強形成反向電流 IRIR = I少子 ? 0四、 PN結的特性（一） PN 結的單向導電性 1. 外加 正向 電壓 (正向偏置 ) PN結加正向電壓 當 P區(qū)接 “+”， N區(qū)接 “”，稱為 PN結正向偏置（ 正偏 ）。 IF限流電阻擴散運動加強形成正向電流 IF 。② 擴散電流：物質由高濃度的地方向低濃度的地方運動所形成的電流?！ ≡谑覝鼗蚬庹障聝r電子獲得足夠能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子，并在共價鍵中留下一個空位 (空穴 )的過程。自由電子：價電子獲得足夠的能量掙脫慣性核的束縛 (溫度 0 176。（二）半導體的晶體結構 制作半導體件最常用的材料：硅（ Si）、鍺（ Ge）① 晶體：原子按一定規(guī)律整齊排列的物質單晶體：原子與原子之間通過共價鍵連接起來 第一節(jié) 第一節(jié) PN結結Ge Si通過一定的工藝過程，可以將半導體制成 晶體 ?，F代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。 K時 )帶負電荷的物質 —— 又稱電子載流，這是由熱激發(fā)而來的空穴：價電子成為自由電子時 ,原共價鍵留下了一個空位—— 帶正電荷的物質，即空穴載流子。載流子濃度：單位體積半導體中載流子的數目（個 /m3 ） 本征半導體內電子載流子濃度（ Ni） =空穴載流子濃度（ Pi） 本征載流子濃度 =Ni+Pi（其值甚微） —— 即載流子濃度甚低 本征半導體內的載流子濃度很低 → 導電能力很弱， 故不能用來直接制作半導體器件兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運動自由電子 (在共價鍵以外 )的運動空穴 (在共價鍵以內 )的運動 結論 ：1. 本征半導體中電子空穴成對出現，且數量少； 2. 半導體中有電子和空穴兩種載流子參與導電； 3. 本征半導體導電能力弱，并與溫度有關 。濃度差越大 → 擴散能力越強 → 擴散電流越大擴散電流大小 → 同載流子濃度差或擴散運動快慢成正比 （三）載流子的漂移運動和擴散運動3. 擴散和漂移達到 動態(tài)平衡擴散電流 等于漂移電流， 總電流 I = 0。IF = I多子 ? I少子 ? I多子2. 外加 反向 電壓 (反向偏置 ) — rever
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