模擬電子技術(shù)第4章(存儲(chǔ)版)
【正文】 ECB分類 ：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP按使用頻率分： 低頻管、高頻管大功率管 1 W中功率管 ?1 W二、晶體管電流分配關(guān)系和放大作用三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高于集電區(qū)，集電區(qū)摻雜濃度高于基區(qū)基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏（一）晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點(diǎn)： ICEOI B 0, UCE UBEuBE 0、 u BC 0 固定 iB不變情況下： iC基本不隨uCE的變化，而隨 iB的變化而變化iC / mAuCE /V50 181。A20 181。U(BR)EBO — 集電極極開路時(shí) E、 B 極 間反向擊穿電壓。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)% 。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)U(BR)CBO — 發(fā)射極開路時(shí) C、 B 極 間反向擊穿電壓。A40 181。A20 181。 （ — ）（ — ）（ +）（ +）UCEUBEIBICIEUCEUBEIBICIE++——（實(shí)際方向） （規(guī)定正方向）NPN管 PNP管 截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū)結(jié)的偏置 發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏電流關(guān)系IB 、 IC、 IEIE= IB + IC =?IB 0 =?IC 0電位關(guān)系UB 、 UC、 UEUB UEUB UEUB UCUB UCUB UEUB UEUB UCUB UCUCUB UEUCUB UE =?IC β IBIC = β IB+(1+β) ICEOIC= βIBIB IBSIBS=ICSβNPN與 PNP管的情況如下 ：(一 )、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似三、晶體管的特性曲線電流： I c+I B=I E電壓： U CE=UBE UBCO特性基本 重合 (電流分配關(guān)系確定 )特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )導(dǎo)通電壓 UBE(on) 硅管： ( ? ) V鍺管： ( ? ) V 取 V取 V特點(diǎn)： 增加 UCE ，曲線右移、 ib減小、繼續(xù)增大 UCE ，曲線和 ib不變（二）、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。流 過(guò)穩(wěn)壓 管的 電 流 為 ： 。+UZ動(dòng)態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大?！?PN 結(jié)燒毀。勢(shì)壘電容： 是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。IF = I多子 ? I少子 ? I多子2. 外加 反向 電壓 (反向偏置 ) — reverse bias P 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使少子背離 PN 結(jié)移動(dòng)， 空間電荷區(qū)變寬。載流子濃度：?jiǎn)挝惑w積半導(dǎo)體中載流子的數(shù)目（個(gè) /m3 ） 本征半導(dǎo)體內(nèi)電子載流子濃度（ Ni） =空穴載流子濃度（ Pi） 本征載流子濃度 =Ni+Pi（其值甚微） —— 即載流子濃度甚低 本征半導(dǎo)體內(nèi)的載流子濃度很低 → 導(dǎo)電能力很弱， 故不能用來(lái)直接制作半導(dǎo)體器件兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運(yùn)動(dòng)自由電子 (在共價(jià)鍵以外 )的運(yùn)動(dòng)空穴 (在共價(jià)鍵以內(nèi) )的運(yùn)動(dòng) 結(jié)論 ：1. 本征半導(dǎo)體
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