模擬電子技術(shù)第一章(存儲版)
【正文】 和區(qū) 60 181。 該區(qū)中有：飽和區(qū) 放大區(qū)截止區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四、 BJT的主要參數(shù)（ 2）共基極電流放大系數(shù)： iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0 (V)=80uAI△BBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取 20~200之間（ 1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)：直流（靜態(tài)）交流（動態(tài)）模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 （ 2）集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時，集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。（ 1）集電極最大允許電流 ICM（ 2）集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗， PC= ICUCE PCM PCM模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 （ 3）反向擊穿電壓 BJT有兩個 PN結(jié)，其反向擊穿電壓有以下幾種： ① U（ BR） EBO—— 集電極開路時，發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓。A40 181。② 當(dāng) │uGS│↑時， PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。預(yù)夾斷后， iDS↑→ iD 幾乎不變。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 P溝道 結(jié)型場效應(yīng)管 的工作原理與 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞ UT，管子導(dǎo)通。 ① 輸出特性曲線： iD=f(uDS)?uGS=const（ b）恒流區(qū)也稱飽和 區(qū)（預(yù)夾斷 后）。 當(dāng) uGS＞ 0時，溝道增寬， iD進(jìn)一步增加。由于 MOS管 柵源間有 sio2絕緣層，輸入電阻可達(dá) 109～ 1015。（ 6） 最大漏極功耗 PDM PDM= UDS ID，與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣 。 在輸出特性曲線上也可求出 gm。（ d） uds再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長， uds增加的部分基本降落在隨之 加長 的夾斷溝道上， id基本不變。 再增加 uGS→ 縱向電場 ↑→ 將 P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 → 形成導(dǎo)電溝道，如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。 （ d）擊穿區(qū)。③ 當(dāng) uDS ↑，使 uGD=uG S uDS=UP時，在靠漏極處夾斷 —— 預(yù)夾斷。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁一 . 結(jié)型場效應(yīng)管 1. 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)（以 N溝為例）：兩個 PN結(jié)夾著一個 N型溝道。 (BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁0IB= 0 181。++ICBOecb ICEO模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 Ic增加時， ? 要下降。放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。A20181。AIB = 常數(shù)IC = f (UCE )2. 三極管的輸出特性模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁現(xiàn)以 iB=60uA一條加以說明。若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)正偏：+UCE －＋UBE－＋UCB－集電結(jié)反偏：由 VBB保證由 VCC、 VBB保證UCB=UCE UBE 0 反偏 共發(fā)射極接法c區(qū)b區(qū)e區(qū)共發(fā)射極接法原理圖UBE0 正偏模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁BJT內(nèi)部的載流子傳輸過程模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁電流分配關(guān)系三個電極上的電流關(guān)系 : IE =IC+IB定義：(1)IC與 I E之間的關(guān)系 :所以 :其值的大小約為 ～ 。 (4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax—— 超過 Izmax穩(wěn)壓管會因功耗過大而燒壞。 解： DA優(yōu)先導(dǎo)通，則VY=3–=DA導(dǎo)通后 , DB因反偏而截止 ,起隔離作用 , DA起鉗位作用 ,將 Y端的電位鉗制在 +。代表器件的類型， P為普通管， Z為整流管， K為開關(guān)管。 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦孕〗Y(jié)結(jié)的單向?qū)щ娦孕〗Y(jié)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（三） PN結(jié) 的伏安特性曲線及表達(dá)式 根據(jù)理論推導(dǎo)， PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏I(xiàn)F（多子擴(kuò)散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿 —— 燒壞 PN結(jié)電擊穿 —— 可逆模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 根據(jù)理論分析：u 為 PN結(jié)兩端的電壓降i 為流過 PN結(jié)的電流IS 為反向飽和電流UT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量其中 k為玻耳茲曼常數(shù) 10－ 23q 為電子電荷量 10－ 9T 為熱力學(xué)溫度 對于室溫（相當(dāng) T=300 K）則有 UT=26 mV。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。 它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)束縛電子在絕對溫度 T=0K時，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不會成為 自由電子 ， 因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。硅原子 鍺原子硅和鍺最外層軌道上的四個電子稱為 價(jià)電子 。 把純凈的沒有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶稱為本征半導(dǎo)體。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁N型半導(dǎo)體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子 —— 自由電子少數(shù)載流子 —— 空穴++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對在硅或鍺的晶體中摻入少量的五價(jià)元 素 ,如磷 ,則形成 N型半導(dǎo)體。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴ＤM電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁半導(dǎo)體二極管圖片
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