模擬電子技術(shù)及應(yīng)用(存儲版)
【正文】 管只有與適當?shù)碾娮柽B接才能起到穩(wěn)壓作用。目前的發(fā)光二極管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光；電特性與一般二極管類似。 (1)若 ui為 4V的直流信號，分別采用理想二極管模型、恒壓源模型計算電流 I和輸出電壓 uo解： （ 1）采用理想模型分析。解 :忽略二極管的導通壓降：(1)二極管Ｄ Ａ 優(yōu)先導通，則Ｄ Ｂ 反向偏置，截止，UAUB1KΩ1KΩ R9kΩＤ ＢＤ A(2)UA=6V,UB=。用萬用表檢測二極管的好壞及極性? 萬用表歐姆檔，黑表筆對應(yīng)于表內(nèi)電池的正極，而紅表筆對應(yīng)于表內(nèi)電池的負極。BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，集電區(qū)少子漂移形成的反向電流 ICBO。IC(mA )1234UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?A此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,VBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。集電結(jié)反偏有 ICBO3. 穿透電流 ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。曲線來描述。增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道場效應(yīng)管 絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管151 絕緣柵場效應(yīng)管（ MOS管）一、結(jié)構(gòu)和電路符號PN NGS DP型基底兩個 N區(qū)SiO2絕緣層導電溝道金屬鋁GSDN溝道增強型N 溝道耗盡型PN NGS D預埋了導電溝道 GSD在柵極下方的 SiO2層中摻入大量的金屬正離子。當 uGS＞ 0時，溝道增寬， iD進一步增加。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。N溝道增強型 MOS管的基本特性uGS ＜ UT，管子截止uGS ＞ UT，管子導通uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓uDS作用下，漏極電流 ID越大四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線耗盡型的 MOS管 UGS=0時就有導電溝道，加反向電壓才能夾斷。 上次課內(nèi)容三極管的結(jié)構(gòu)及分類三極管的電流分配及電流放大作用三極管的三種工作狀態(tài)及各自特點三極管的主要參數(shù)及安全工作區(qū)域舉例說明三極管工作狀態(tài)的特點? . 場效應(yīng)管是電壓控制元件 ,只有多子參與導電，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)，有兩種載流子參與導電，稱為雙極型晶體管。BECNNPICBOICEO= ? IBE+ICBO =（ 1+ ? ） ICBO IBE? IBEICBO進入 N區(qū)，形成 IBE。當 VCE大于一定的數(shù)值時， IC只與 IB有關(guān)： IC=?IB。IBE進入基區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成復合電流 IBE ，多數(shù)擴散到集電結(jié)。特殊二極管。04V4Vuit2V2Vuot0uot04V4Vui ② 采用恒壓源模型分析，波形如右所示。3．二極管是由一個 PN結(jié)構(gòu)成的。132光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。（ 4）穩(wěn)定電流 IZ ，最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。而反向偏置時，由于少數(shù)載流子數(shù)目很少，可忽略擴散電容。6. 二極管的極間電容 （結(jié)電容） *☆二極管的兩極間存在電容效應(yīng)，對應(yīng)的等效電容由兩部分組成： 勢壘電容 CB和 擴散電容 CD。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。? 本征半導體、熱（本征）激發(fā)。小結(jié)(1) 加正向電壓（正偏） —— 電源正極接 P區(qū)，負極接 N區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。113 PN 結(jié)的形成在同一片半導體基片上，分別制造P 型半導體和 N 型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。N 型半導體： 自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導體，也稱為電子型半導體。溫度越高，載流子的濃度越高。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu) ：通過一定的工藝過程，可以將半導體制成 晶體 。第 1章 基本半導體分立器件 ? 半導體的基本知識與PN結(jié) ? 半導體二極管 ? 特殊二極管? 半導體三極管 ? 場效應(yīng)晶體管 導體： 自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為 導體 ，金屬一般都是導體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相鄰的原子之間形成 共價鍵 ，共用一對價電子。本征半導體中兩種載流子的數(shù)量相等，稱 自由電子空穴對 。P 型半導體： 空穴濃度大大增加
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