模擬電子技術(shù)教案(存儲版)
【正文】 0=電感濾波：U0=RCπ型濾波：U0=LCπ型濾波：U0=LCΓ型濾波：U0=作業(yè)布置： P23 、板書設(shè)計： 單相橋式濾波電路 電容濾波：U0=電感濾波：U0=RCπ型濾波：U0=LCπ型濾波：U0= 作業(yè)：P23 LCΓ型濾波：U0= 、教學反思： 。C對充放電的影響 電容充電時間常數(shù)為TD=RLC，因為二極管的RD很小，所以充電時間常數(shù)小，充電速度快；RLC為放電時間常數(shù)，因為RL較大，放電時間常數(shù)遠大于充電時間常數(shù)，因此，濾波效果取決于放電時間常數(shù)。 正半周:上正下負,此時會產(chǎn)生一個下圖中紅色線條所示電流。設(shè)二極管為硅管。（2）質(zhì)量判斷若測得的反向電阻很大（幾百千歐以上），正向電阻很?。◣浊W以下），表明二極管性能良好。利用二極管的反向擊穿特性，可以做成穩(wěn)壓二極管，但一般的二極管不允許工作在反向擊穿區(qū)溫度對二極管特性的影響 二極管是對溫度非常敏感的器件。 半導(dǎo)體二極管的構(gòu)成：一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來。外電場加強內(nèi)電場→耗盡層變寬→漂移運動擴散運動→少子漂移形成反向電流I R三：半導(dǎo)體二極管的構(gòu)成與類型（20分鐘）半導(dǎo)體二極管的構(gòu)成一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來，就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡稱二極管。常見的四價元素硅和鍺。（10分鐘）講授新課：一：PN結(jié)（30分鐘）什么是半導(dǎo)體，什么是本證半導(dǎo)體？（10分鐘）半導(dǎo)體：導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) 本征半導(dǎo)體：純凈（無雜質(zhì)）的晶體結(jié)構(gòu)（穩(wěn)定結(jié)構(gòu)）的半導(dǎo)體，所有半導(dǎo)體器件的基本材料。外電場削弱內(nèi)電場→耗盡層變窄→擴散運動漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）I F反偏加反向電壓（反偏）——電源正極接N區(qū)，負極接P區(qū)外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。P型半導(dǎo)體，空穴為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子 PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵窹N結(jié)外加正向電壓時處于導(dǎo)通狀態(tài)，外加反向電壓時處于截止狀態(tài)。二極管外加反向值稍有增大，反向電流會急劇增大，稱此現(xiàn)象為反向擊穿，UBR為反向擊穿電壓。 二極管管腳級性及質(zhì)量的判斷（1）二極管的管腳級性將紅、黑表筆分別接二極管的兩個電極，若測得的電阻值很?。◣浊W以下），則黑表筆所接電極為二極管正極，紅表筆所接電極為二極管的負極；若測得的阻值很大（幾百千歐以上），則黑表筆所接電極為二極管負極，紅表筆所接電極為二極管的正極。實際應(yīng)用[]，試分別用二極管的理想模型，恒壓降模型計算回路中的電流ID和輸出電壓U0。為了簡化討論，先不考慮電壓的大小，只考慮方向，那么可以將交流電分成正負兩個半周：正半周（下正下負）和負半周（下正上負）。當UCU2，導(dǎo)致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負載電阻RL放電，UC按指數(shù)規(guī)律緩慢下降當U2為負半周幅值變化到恰好大于UC時，D2和D4因加正向電壓變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)U2再次對C充電，UC上
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