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2025-01-21 03:56 上一頁面

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【正文】 ? 結型場效應管工作時 PN結必須反偏、MOS管則由于柵極被絕緣,故場效應管的輸入阻抗大大高于三極管。PN NGS DUDSUGSUT( VT)iD=f(uGS)?uDS=常數三、增強型 N溝道 MOS管的特性曲線輸出特性曲線 轉移特性曲線 一個重要參數 —— 跨導 gm gm=?iD/?uGS? uDS=const gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。解:因為三極管處于放大狀態(tài),所以145 三極管的測試與應用三極管的結構、分類三極管的電流分配、電流放大作用三極管的三種工作狀態(tài)及各自特點三極管的伏安特性、主要參數及安全工作區(qū)域本次課內容 用萬用表檢測二極管的好壞與極性作業(yè):. . . 用萬用表檢測二極管的好壞及極性? 萬用表歐姆檔,黑表筆對應于表內電池的正極,而紅表筆對應于表內電池的負極。 射極反向擊穿電壓當集 射極之間的電壓 VCE超過一定的數值時,三極管就會被擊穿。 即: VCE?VBE , ?IBIC, VCE? (3) 截止區(qū): VBE 死區(qū)電壓, IB=0 , IC=ICEO ?0 注意: 結 PN結; 極 電極; 集 收集?。?!144 主要參數三極管發(fā)射極是輸入輸出的公共點,為共射接法,相應地還有共基、共集接法。一 .輸入特性UCE ?1VIB(?A)UBE(V)20406080 工作壓降: 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。141 基本結構 BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型 14 半導體三極管BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū):較薄,摻雜濃度低集電結:面積較大發(fā)射區(qū):摻雜濃度較高 BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結集電結BECIB IEICNPN型三極管BECIB IEICPNP型三極管符號三極管的結構特點: 基區(qū)特別薄,發(fā)射區(qū)摻雜濃度特別高,集電結面積特別大。? 二極管的幾種分析模型。4V 的交流三角波,波形如圖所示,分別采用理想二極管模型和恒壓源模型分析電路并畫出相應的輸出電壓波形。在純凈半導體中摻入不同的雜質,可以得到 N型半導體和 P型半導體。 求:電阻 R和輸入電壓 Vi 的正常值。(使結電容容抗下降而反向不截止)實際二極管: 死區(qū)電壓 ? ,正向壓降 ?(硅二極管 )理想二極管: 死區(qū)電壓 =0 ,正向壓降 =0 RLui uouiuott二極管的應用舉例 1: 二極管半波整流實際應用中利用二極管的單向導電性,典型應用有整流、限幅、保護等。擴散電容: 為了形成正向電流(擴散電流),注入 P 區(qū)的電子在 P 區(qū)有濃度差,越靠近 PN結濃度越大,即在 P 區(qū)有電子的積累。反向電流受溫度的影響,溫度越高反向電流越大。引線(管腳) 外殼觸絲線基片點接觸型 PN結面接觸型P N二極管的電路符號:陽極 a+陰極 k122 伏安特性反向擊穿電壓 UBR死區(qū)電壓,硅管約,鍺管約 導通壓降 : 硅管 ~ ,鍺管 ~ 。 這就是 PN結的單向導電性。,電子是少子 。一般情況下,摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度,所以,自由電子濃度遠大于空穴濃度。(在本征半導體中 自由電子和空穴成對出現,同時又不斷的復合)112 雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質原子,形成雜質半導體。在常溫下,由于熱激發(fā),使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛,成為 自由電子 ,同時共價鍵上留下一個空位,稱為 空穴 。往純凈的半導體中摻入某些雜質,會使 它的導電能力明顯改變。半導體: 另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間,稱為 半導體 ,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。形成共價鍵后,每個原子的最外層電子是八個,形成穩(wěn)定結構。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。由于磷原子的最外層有五個價電子,其中四個與相鄰的半導體原子形成共價鍵,必定多出一個電子,這個電子不受共價鍵的束縛,很容易被激發(fā)而成為自由電子,這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子;本征半導體電子和空穴成對出現的現象也被打破。+4 +4+3 +4空穴硼原子P 型半導體中空穴是多子,電子是少子 。內電場越強,漂移運動越強。 外電場加強內電場 → 耗盡層變寬 → 漂移運動>擴散運動→ 少子漂移形成反向電流 I RP N在一定的溫度下,由本征激發(fā)產生的少子濃度是一定的,故 IR基本上與外加反壓的大小無關,所以稱為 反向飽和電流 。? PN結的形成。2. 反向工作峰值電壓 VBWM保證二極管不被擊穿時的反向峰值電壓。電容效應:當外加電壓發(fā)生變化時,耗盡層的寬度將隨之改變,即 PN結中存儲的電荷量要隨之變化,就像電容充放電一樣。(不足以克服死區(qū)電壓)? 正向電流太大。( 3)動態(tài)電阻穩(wěn)壓
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