模擬電子技術第4章(參考版)
2025-01-07 03:59本頁面
【正文】 O、射極間正向電壓 UBE的影響溫度升高、 NPN管子的 uBE減小，輸入曲線左移 國家標準對半導體三極管的命名如下 :3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管半導體三極管的型號例如： 3AX31D、 3DG123C、 3DK100B 第四章 完謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)% 。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。注意：五、溫度對特性曲線的影響1. 溫度對 ICBO的影響 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。集 射極反向擊穿電壓當集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。U(BR)EBO — 集電極極開路時 E、 B 極 間反向擊穿電壓。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)U(BR)CBO — 發(fā)射極開路時 C、 B 極 間反向擊穿電壓。cμAICBOb eceμAICEObICBO集電極和基極之間的反向飽和電流 ICEO集電極和發(fā)射極之間的穿透電流發(fā)射極開路基極開路（三）、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過時 ? 值明顯降低。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上。A20 181。A40 181。A10 181。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點： ICEOI B 0, UCE UBEuBE 0、 u BC 0 固定 iB不變情況下： iC基本不隨uCE的變化，而隨 iB的變化而變化iC / mAuCE /V50 181。A20 181。A40 181。A10 181。A30 181。 （ — ）（ — ）（ +）（ +）UCEUBEIBICIEUCEUBEIBICIE++——（實際方向） （規(guī)定正方向）NPN管 PNP管 截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū)結(jié)的偏置 發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏電流關系IB 、 IC、 IEIE= IB + IC =?IB 0 =?IC 0電位關系UB 、 UC、 UEUB UEUB UEUB UCUB UCUB UEUB UEUB UCUB UCUCUB UEUCUB UE =?IC β IBIC = β IB+(1+β) ICEOIC= βIBIB IBSIBS=ICSβNPN與 PNP管的情況如下 ：(一 )、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似三、晶體管的特性曲線電流： I c+I B=I E電壓： U CE=UBE UBCO特性基本 重合 (電流分配關系確定 )特性右移 (因集電
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1