模擬電子技術(shù)第4章(完整版)
【正文】 V) 作用下輸出 uO 的波形。幾 ? ? 幾十 ?5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT一般，UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負(fù)溫度系數(shù)；UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)；4 V UZ 7 V， CTV 很小。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。A10 181。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上。集 射極反向擊穿電壓當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。O、射極間正向電壓 UBE的影響溫度升高、 NPN管子的 uBE減小，輸入曲線左移 國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下 :3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號(hào)的序號(hào) 用字母表示同一型號(hào)中的不同規(guī)格 三極管半導(dǎo)體三極管的型號(hào)例如： 3AX31D、 3DG123C、 3DK100B 第四章 完謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。注意：五、溫度對(duì)特性曲線的影響1. 溫度對(duì) ICBO的影響 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。cμAICBOb eceμAICEObICBO集電極和基極之間的反向飽和電流 ICEO集電極和發(fā)射極之間的穿透電流發(fā)射極開路基極開路（三）、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過時(shí) ? 值明顯降低。A10 181。A40 181。VCC VCC+PPNVBB VBB+P NN圖 三極管外加電源的極性 若規(guī)定 PNP中各極電流 IB、 IC、 IE的方向與實(shí)際方向 一致，而電壓 UBE仍為 b e,UCE仍為 c e,則 UBE與 UCE與實(shí)際方向相反。若正向偏置可作為理想二極管正向偏置工作，當(dāng)反向偏置電壓小于UZ時(shí)，穩(wěn)壓管截止。當(dāng) U《 UR+UC時(shí)，二極管 D截止，開關(guān)斷開，輸出電壓 U0=U。 IR指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。 (擊穿電壓 6 V， 負(fù) 溫度系數(shù) )雪崩擊穿： 反向電場(chǎng)使電子加速，動(dòng)能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增。 PN結(jié)呈截止?fàn)顟B(tài)，只有反向飽和電流流過，電阻很大 。內(nèi)建電場(chǎng)P NP 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使多子向 PN 結(jié)移動(dòng) ,中和部分離子 使空間電荷區(qū)變窄。平平 衡：衡：在一定條件下，激發(fā)與復(fù)合的過程達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡 —— 本征半導(dǎo)體的自由電子和空穴的數(shù)目保持平衡。第第 4 章章 半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 雙極型晶體管一 半導(dǎo)體（一）半導(dǎo)體基本知識(shí)、絕緣體、半導(dǎo)體：物質(zhì)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱 —— 可用電阻率（ ρ ）表示① 導(dǎo)體：導(dǎo)電能力強(qiáng)的物質(zhì)（ ρ10 3Ω*cm ） 利用自由電子導(dǎo)電② 絕緣體：導(dǎo)電能力弱的物質(zhì)（ ρ 10 6Ω*cm ）③ 半導(dǎo)體：常溫下 (27℃) 導(dǎo)電能力居于導(dǎo)體及絕緣體之間的物質(zhì)如，純硅（ Si）、純鍺 (Ge) 。二半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理本征激發(fā)：共價(jià)鍵分裂產(chǎn)生電子空穴對(duì)的過程復(fù)復(fù) 合：合： 自由電子和空穴在運(yùn)動(dòng)中相遇重新結(jié)合成對(duì)消失的過程。三、 PN 結(jié) (PN Junction)的形成P 型、 N 型半導(dǎo)體的簡(jiǎn)化圖示負(fù)離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子（電子）正離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子P 型N 型1. 載流子的 濃度差 引起多子的 擴(kuò)散
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