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模擬電子技術(shù)第2章雙極型三極管及其放大電路(完整版)

2025-01-29 03:59上一頁面

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【正文】 R? ? ? ?i be e b+( 1+ )V r R I? ??輸出回路 ? ? ? ?o e b b e b1R I I R I????? ? ? ?∴ ? ?? ?eoV i be e11RVAV r R????????? 由于射極輸出器的電壓增益接近于 1,且輸出電壓和輸入電壓同相,因此射極輸出器又稱作 電壓跟隨器 。Ro定義為:在保持輸入信號不變的條件下,負載開路時的輸出電壓與負載短路時的輸出電流值比,即 oooosVRI?求解方法: 1 除源、加壓、去載、求流 2 測量計算法 oooLo1VRRV????????2. 計算輸出電阻 (p48) 方法:在信號源短路( VS=0,但保留 RS)和負載開路( RL=∞)的條件下,在放大電路的輸出端加一測試電壓 VT,相應(yīng)的產(chǎn)生一測試電流 IT,可得到輸出電阻為 STo 0T| VVR I ???放 大 電 路TI+S 0V ?Ro+TVR Srb eb 0I ?c =0Ib 0I? ?+S 0V ?R b R cbce+TVRoRsTI輸出電阻為 sTo 0T| VVR I ???而 TTcVIR故 TocT4kVRRI? ? ? ?求解共射極基本放大電路輸出電阻的小信號等效電路 簡單的單管共射放大器存在的問題:溫度變化、更換三極管等都會引起 β值的變化,從而相應(yīng)的引起靜態(tài)工作點的變化。 iB和 vCE作為自變量 iC和 vBE作為應(yīng)變量 指導(dǎo)思想 如果放大電路的輸入電壓很小,就可以設(shè)想把 BJT小范圍內(nèi)的特性曲線近似的用直線來代替,從而把 BJT這個非線性器件所組成的電路當(dāng)成線性電路來處理。 39。在 vi的負半周,其變化規(guī)律恰好相反,放大電路的工作點由 Q移到 Q2,在由 Q2回到 Q。圖解的步驟是先根據(jù)輸入信號vi,在輸入特性上畫出 iB的波形,然后根據(jù) iB的變化在輸出特性上畫出 iC和 vCE的波形。電流 iC和 iB以流入電極為正、 iE則以流出電極為正。 當(dāng)放大電路輸入信號后,電路中各處的電壓、電流便處于變動狀態(tài),這時電路處于動態(tài)工作情況,簡稱 動態(tài) 。有 bBBbBEBBB RVR VVI ???VBB和 Rb確定后,偏流 IB就是固定的,這種電路又稱作固定偏流電路。 圖 122 NPN型硅 BJT共射極接法 的輸出特性曲線 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) 放大就是將小信號轉(zhuǎn)換為大信號。 iB=f(vBE)|vCE=常數(shù) (2) 輸出特性: 指在基極電流 iB一定的情況下, BJT的輸出回路中,集電極與發(fā)射極之間的電壓 vCE與集電極電流 iC之間的關(guān)系曲線。一簡單的放大電路如圖 23所示。 VEE VCC IE 發(fā)射極 基極 集電極 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 發(fā)射電子 收集電子 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) (2) 電子在基區(qū)中的擴散與復(fù)合 同時, VEE的正端不斷從基區(qū)拉走電子。 圖 118 NPN型 BJT的結(jié)構(gòu)示意圖 ? 發(fā)射區(qū)比集電區(qū)的摻雜濃度高 ? 集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大 發(fā)射極 基極 集電極 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 收集電子 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) E B C 發(fā)射電子 BJT三極電流關(guān)系 BJT放大狀態(tài)下的 PN結(jié)偏置條件 NPN型 VCVBVE VCVBVE ? |VBVE|的值較小,一般硅管 取 ~,鍺管取 ~ ? 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏 PNP型 BJT三極電流關(guān)系 (2) 根據(jù) KCL, iE=iC+iB,因此,基極電流可表示為 CEii???? ??(1) 集電結(jié)收集的電子流是發(fā)射結(jié)發(fā)射的總電子流的一部分,常用系數(shù) 表示,有 ? ?BE1 ???(3) 由此可導(dǎo)出集電極與基極電流的關(guān)系為 ? ?C E11i i? ? ???? ? ???其中, 和 為兩種放大系數(shù),它們之間存在如下轉(zhuǎn)換關(guān)系 ?? 1???? 1 1???? ? 1 BJT放大狀態(tài)下的 三極電流關(guān)系 ? 電流分配關(guān)系 當(dāng) BE之間的正向電壓加大時,將會有更多的電子從射區(qū)擴散到基區(qū)( iE 增大),同時到達集電極的電子也會增加( iC 增大),基區(qū)內(nèi)復(fù)合的電子數(shù)也會增加( iB 增大)。 另外,基區(qū)的空穴也擴散到發(fā)射區(qū),但由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠高于基區(qū),這部分空穴流與電子流相比可忽略不計。 VEE VCC IE IB 發(fā)射極 基極 集電極 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 發(fā)射電子 收集電子 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) (3) 集電極收集擴散過來的電子 由于集電結(jié)反偏,集電結(jié)的勢壘很高,集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴很難通過集電結(jié)。工程上最常用到的是它的輸入特性曲線和輸出特性曲線。 ? 當(dāng) vCE 超過某一數(shù)值后(約 1V),特性曲線變得平坦。 三極管放大電路可以分為 共射極、共基極,共集電極 三種基本接法。起“傳送交流,隔離直流 ”的作用。所以只有這兩部分 V— I 特性的交點 Q所對應(yīng)的電流電壓值,才能同時滿足式 (*) 和 ()。常用的有 增益、輸入阻抗、輸出阻抗、頻率響應(yīng)和帶寬等 。設(shè)對應(yīng)于 iB=iBMAX和 iB=iBMIN的輸出特性與直流負載線分別交于 Q1和 Q2點。 Cb 1Rb3 0 0 k ΩRC4 k ΩiBCb 2VC C1 2 ViCvOviRL 4kΩ 畫出交流通路圖, 掌握 C看作短路的原則 可以得到放大電路的交流負載 RL’為 39。 圖 1 VC CRCiB圖 2 指導(dǎo)思想 如果放大電路的輸入電壓很小,就可以設(shè)想把 BJT小范圍內(nèi)的特性曲線近似的用直線來代替,從而把 BJT這個非線性器件所組成的電路當(dāng)成線性電路來處理。輸入電阻的大小反映了放大電路從信號源中索取電流的大小。 2 求交流指標 LCLVb e b e// 180 801RRRArr???? ? ? ? ? ? ? ?i b 1 b 2 b e// // 30 // 10 // 1 0. 88 2( k )R R R r? ? ? ?oo iiV S Viss i s VV VRAARRV V V? ? ? ? ? ? ???oc 2( k )RR? ? ?帶射極旁路電容的射極偏置電路 射極偏置電路 ? 24, 29, 211,214(a)、 (b)、 (c)、 (d), 215,219,220,223,224 若將基本共射放大電路做一些修改,即將原集電極電阻 RC從集電極改接到發(fā)射極并改稱 Re,發(fā)射極電流通過 Re將轉(zhuǎn)化為發(fā)射極電壓,發(fā)射極作為信號輸出端接耦合電容和負載電阻,就變成如圖所示的共集電極放大電路,又稱 射極輸出器 。 共射極基本放大電路 圖 244(c) 射極輸出器的小信號等效電路 圖 244(e) 計算電壓跟隨器輸入電阻的小信號等效電路 TiTVRI?而 ? ?bT b T b be e111RI I I V R r R???? ? ? ????????2 輸入電阻 ∴ ? ?i b be e|| 1R R r R? ?? ? ????? 交流指標分析 ? ?i be e1R r R???? ?R’i:由基極看入的輸入電阻 (p62) 在靜態(tài)工作電流相同的情況下,共集電極電路的輸入電阻 R’i=rbe+(1+β)R’e比基本共射放大電路的輸入電阻 R’i=rbe要大得多 (p62)。 頻率特性好,常用作高頻電路的寬帶放大器。由于三級級連在一起,在計算總的電壓增益時,必須考慮級間的關(guān)聯(lián)作用。 圖 250 兩級直接耦合共射放大電路 (1) 求兩級放大電路總的電壓放大倍數(shù) 1 L 1v1be 1RAr? ???式中, R’L1=RC1//Ri2,而 Ri2=rbe2+(1+β2)Re2 ? ?2Lv2 be 2 2 e 21RArR???????(2) 輸入電阻 Ri Ri=Ri1=Rb1//Rb2//rbe1 (3) 輸入電阻 Ro Ro=Ro2≈Rc2 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。但在計算前兩級電壓增益 Av1和 Av2時,將其后的放大電路輸入電阻 Ri2和 Ri3作為該級的負載電阻。多級放大電路,是由幾個單級放大電路,經(jīng)過合理組合與配置組成的,以滿足預(yù)期性能的需要。 ∵ 1???∴ s be e1Rr R??? ???s be1Rr???? ?共集電極
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