極管三極管ppt課件(完整版)
【正文】 ICBO IC = ICN+ICBO ?ICN –ICBO ?IBN 發(fā)射結 正偏 ，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 U I E + 反向漏電流 （很小， ?A級） 二極管主要參數(shù) ? 最大整流電流：最大正向平均電流 IOm； ? 最大反向電壓：最高反向工作電壓 URm； ? 最大反向電流： IRm反映二極管的單向導通特性 二極管的應用 ? 整流 ? 防反接 ? 限幅 ? 門電路 ? …… 例 1：二極管：死區(qū)電壓 =0 .5V， 正向壓降 =(硅二極管 ) 理想二極管：死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uO ui uo t t 二極管半波整流 例 2：二極管的應用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo ? 光電二極管 – 光照影響反向電流，光強度高、反向電流大； ? 發(fā)光二極管（ LED） – 單管 LED – 七段式數(shù)碼管 – 矩陣式 LED顯示屏 ? 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管 IZmax + 穩(wěn)壓二極管符號 U I UZ IZ 穩(wěn)壓二極管特性曲線 IZmin 當穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下 ,當工作電流 IZ在Izmax和 Izmin之間時 ,其兩端電壓近似為常數(shù) 正向同二極管 穩(wěn)定電流 穩(wěn)定電壓 NPN型三極管 三 極管符號 N P N C B E P N P C B E B E C T B E C T PNP型三極管 C B E N N P 基本結構、類型與符號 167。 形成正向電流，稱正向導通 。 少數(shù)載流子（少子）在內電場作用下，有規(guī)則的運動稱為漂移運動 ；形成 漂移電流 。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。 硅和鍺的共價鍵結構 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為 束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。 1 半導體的基本知識 化學元素周期表 通過一定的工藝過程，可以將半導體制成 晶體 。載流子：電子，空穴 N型半導體 （主要載流子為電子，電子半導體） P型半導體 （主要載流子為空穴，空穴半導體） N型半導體 在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。 內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。（ 漂移運動 ） 注意 : 一、 PN 結正向偏置 內電場 外電場 － － － － + + + + R E P N + _ 內電場被削弱， 擴散 ?飄移， 多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流 (正向電流）。 半導體二極管 (1)基本結構 PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。 發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 R E 空間電荷區(qū) 變厚 PN 結處于 截止 狀態(tài) 反向電流 PN 結 反向偏置 的意思是： P 區(qū)加負、 N 區(qū)加正電壓。 當 UCE大于一定的
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