極管三極管ppt課件(完整版)
【正文】 ICBO IC = ICN+ICBO ?ICN –ICBO ?IBN 發(fā)射結(jié) 正偏 ，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 U I E + 反向漏電流 （很小， ?A級(jí)） 二極管主要參數(shù) ? 最大整流電流：最大正向平均電流 IOm； ? 最大反向電壓：最高反向工作電壓 URm； ? 最大反向電流： IRm反映二極管的單向?qū)ㄌ匦? 二極管的應(yīng)用 ? 整流 ? 防反接 ? 限幅 ? 門(mén)電路 ? …… 例 1：二極管：死區(qū)電壓 =0 .5V， 正向壓降 =(硅二極管 ) 理想二極管：死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uO ui uo t t 二極管半波整流 例 2：二極管的應(yīng)用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo ? 光電二極管 – 光照影響反向電流，光強(qiáng)度高、反向電流大； ? 發(fā)光二極管（ LED） – 單管 LED – 七段式數(shù)碼管 – 矩陣式 LED顯示屏 ? 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管 IZmax + 穩(wěn)壓二極管符號(hào) U I UZ IZ 穩(wěn)壓二極管特性曲線 IZmin 當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下 ,當(dāng)工作電流 IZ在Izmax和 Izmin之間時(shí) ,其兩端電壓近似為常數(shù) 正向同二極管 穩(wěn)定電流 穩(wěn)定電壓 NPN型三極管 三 極管符號(hào) N P N C B E P N P C B E B E C T B E C T PNP型三極管 C B E N N P 基本結(jié)構(gòu)、類(lèi)型與符號(hào) 167。 形成正向電流，稱(chēng)正向?qū)?。 少數(shù)載流子（少子）在內(nèi)電場(chǎng)作用下，有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng) ；形成 漂移電流 。這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵共 用電子對(duì) +4 +4 +4 +4 +4表示除去價(jià)電子后的原子 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱(chēng)為 束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 化學(xué)元素周期表 通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。載流子：電子，空穴 N型半導(dǎo)體 （主要載流子為電子，電子半導(dǎo)體） P型半導(dǎo)體 （主要載流子為空穴，空穴半導(dǎo)體） N型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。（ 漂移運(yùn)動(dòng) ） 注意 : 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) － － － － + + + + R E P N + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱， 擴(kuò)散 ?飄移， 多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流 (正向電流）。 半導(dǎo)體二極管 (1)基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 R E 空間電荷區(qū) 變厚 PN 結(jié)處于 截止 狀態(tài) 反向電流 PN 結(jié) 反向偏置 的意思是： P 區(qū)加負(fù)、 N 區(qū)加正電壓。 當(dāng) UCE大于一定的
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