【正文】 ? 反向偏壓太高。 當外加正向電壓不同時， PN結兩側堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同 (相當于電容的充放電 )。4. 反向電流 IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。? PN結的單向導電性。 但但 IR受溫度影響較大受溫度影響較大 ?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。三、雜質半導體的示意圖－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P 型半導體++++++++++++++++++++++++N 型半導體小 結：電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子；空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關系，起導電作用的主要是多子 。+4 +4+5 +4多余電子磷原子N 型半導體中的載流子有哪些呢？（ 1）由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。本征半導體中電流由兩部分組成： （ 1）自由電子移動產生的電流。共價鍵有很強的結合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。11 半導體的基本知識及 PN結什么是半導體?半導體 的導電機理不同于其它物質，所以它具有不同于其它物質的特點。例如：當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。+4 +4+4 +4二、本征半導體的導電機理在絕對 0度（ 273℃ ）和沒有外界激發(fā)時 ,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即 載流子 ），不能導電，相當于絕緣體。 （ 2）空穴移動產生的電流。（ 2）本征半導體中成對產生的電子和空穴。近似認為多子與雜質濃度相等。內電場 E漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N 型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場 E所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 PN結加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現(xiàn)低電阻， 我們稱PN結導通； PN結加反向電壓時，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， 我們稱 PN結截止。作業(yè)：. . 12半導體二極管121 半導體二極管的基本結構PN 結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。電容效應在交流信號作用下才會表現(xiàn)出來。（造成反向擊穿）? 工作頻率太高。穩(wěn)壓二極管的應用舉例UoiZDZRiLiUi RL穩(wěn)壓管的技術參數(shù) :解：令輸入電壓達到上限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmax —— 方程 1要求當輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動時，負載電壓基本不變。電子帶負電，空穴帶正電。例題（ 2）如果 ui為幅度 177。? 二極管單向導電性失敗的場合及原因。? 二極管反偏時截止，呈現(xiàn)的電阻阻值較大。IB=IBEICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBO ICEIC=ICE+ICBO ?ICEIBEICE與 IBE之比稱為電流放大倍數(shù)無數(shù)次試驗發(fā)現(xiàn)： 漂移到集電區(qū)的電子數(shù)（或其變化量）與在基區(qū)復合的電子數(shù)（或其變化量）總成比例，即 ICE與 IBE之比為一常數(shù)，稱作電流放大倍數(shù)。(2) IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結正偏，集電結正偏。 ICM集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。半導體器件 (三極管 )部分內容小結例： 有兩個晶體管分別接在放大電路中 ,測得它們的管腳電位如下表所示 :試判斷管子類型。感應出電子VT稱為閾值電壓（開啟電壓）UGS較小時，導電溝道相當于電阻將 DS連接起來， UGS越大此電阻越小。152 結型場效應管（ JFET）與雙極型晶體管的比較? 只有多子參與導電，受溫度影響較小（熱穩(wěn)定性較好），抗輻射能力較強。? 集成度高。 在轉移特性曲線上， gm為曲線的斜率。? 二極管正偏時導通，呈現(xiàn)的電阻阻值較小。手冊上給出的數(shù)值是25?C、 基極開路時的擊穿電壓 V(BR)CEO。共射 直流電流放大倍數(shù) ：工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。UCE=0VUCE = 死區(qū)電壓，硅管約 ，鍺管約 。 一、實驗測試方法ICmA?AV V UCEUBERBIBECEB142 電流分配和放大原理結論:1. IE=IC+IB3. IB=0時 , IC=ICEO（穿透電流） ,發(fā)射結必須正偏 ,集電結必須反偏。? 特殊二極管? 二極管應用舉例。解： ① 采用理想二極管模型分析。2．采用一定的工藝，使 P型和 N型半導體結合