模擬電子技術(shù)第一章-文庫吧在線文庫
【正文】 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁半導(dǎo)體二極管的型號(hào)國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（ 4） 反向工作峰值電壓 URWM（ 5） 反向峰值電流 IRM 例 1：下圖中，已知 VA=3V， VB=0V， DA 、 DB為鍺管，求輸出端 Y的電位并說明 二極管的 作用。 (3) 最小穩(wěn)定工作 電流 IZmin—— 保證穩(wěn)壓管擊穿所對(duì)應(yīng)的電流，若 IZ＜ IZmin則不能穩(wěn)壓。對(duì)于 NPN型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0UBC 0即 VC VB VE對(duì)于 PNP型三極管應(yīng)滿足 : UEB 0UCB 0即 VC VB VE輸出回路輸入回路公共端EBRBIB模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 三極管在工作時(shí)要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷?。AUCE 0IC IB增加IB 減小IB = 20181。 1V輸出特性曲線有三個(gè)特點(diǎn)：模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁IC / mAUCE /V0放大區(qū)三極管輸出特性上的三個(gè)工作區(qū)域 IB= 0 181。 此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 鍺管： I CBO為微安數(shù)量級(jí)， 硅管： I CBO為納安數(shù)量級(jí)。 在實(shí)際使用時(shí)，還有U（ BR） CER、 U（ BR） CES等擊穿電壓。 FET因其 制造工藝簡單 ， 功耗小 ， 溫度特性好 ， 輸入電阻極高 等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。② uDS↑→ iD ↑ → 靠近漏極處 的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。 （ c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。（ 2）工作原理 當(dāng) uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的 二極管，在d、 s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。 （可變電阻區(qū)）（ c）當(dāng) uds增加到使 ugd=UT時(shí)，溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為 預(yù)夾斷 。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁N溝道耗盡型 MOSFET的 特性曲線輸出特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線1 GSu01D(V)122(mA)432i42uu310V=+2V1DSGSD (mA)i= 1VuGSGSGS=0V=+1Vuu(V)= 2V＝ UPGSuUP模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 P溝道 MOSFET P溝道 MOSFET的工作原理與 N溝道 MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。（ 5） 低頻跨導(dǎo) gm gm反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用，單位是 mS(毫西門子 )。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁三 .場效應(yīng)管的主要參數(shù)(1) 開啟電壓 UT UT 是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值 , 場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 當(dāng) uGS＜ 0時(shí)，溝道變窄， iD減小。 （ c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓 uDS作用下，漏極電流 ID越大。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣。④ uDS再 ↑，預(yù)夾斷點(diǎn)下移。③ 當(dāng) │uGS│↑到一定值時(shí) ，溝道會(huì)完全合攏。A60 181。其值一般幾伏～十幾伏。其大小與溫度有關(guān)。A80 181。 （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些。 BJT是由兩個(gè) PN結(jié)組成的。 ? t ? t ui / Vuo /V63300? 2?? 2?–6模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁? t 630 ? 2? 例 3： 雙向限幅電路 ? t 03–3DE3VRDE3Vui uouR uD ui / Vuo /V模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁? t 6 0 ? 2? 例 3： 雙向限幅電路 ? t 0 – DE3VRDE3Vui uouR uD ui / Vuo /V考慮管壓降模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四 . 二極管的模型IR10VE 1kΩD— 非線性器件iu R— 線性器件模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁二極管的模型 理想二極管模型正偏 反偏導(dǎo)通壓降二極管的 V—A 特性模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁二極管的模型DU串聯(lián)電壓源模型U D 二極管的導(dǎo)通壓降。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 二、 半導(dǎo)體二極管的 V—A 特性曲線 硅： V 鍺： V(1) 正向特性導(dǎo)通壓降反向飽和電流(2) 反向特性死區(qū)電壓擊穿電壓 UBR實(shí)驗(yàn)曲線uEiVmAuEiVuA 硅： V 鍺： Is模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁三、 二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流 IOM——二極管長期連續(xù)工作時(shí)，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)明顯表現(xiàn)出來極間電容（結(jié)電容）模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 半導(dǎo)體二極管 二極管 = PN結(jié) + 管殼 + 引線NP結(jié)構(gòu)符號(hào) 陽極+陰極一、二極管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)一、二極管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào) 正極引線觸絲N型鍺支架外殼負(fù)極引線PN結(jié)模擬電子技術(shù)第一章上頁
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