模擬電子技術第1章-第2章gai(編輯修改稿)
2024-11-12 12:18 本頁面
【文章內容簡介】 管子被擊穿。 反向電壓 反向電流 PN結允許的耗散功率稱為電擊穿，電擊穿是可逆的，如穩(wěn)壓管。 反向電壓 反向電流 PN結允許的耗散功率稱為熱擊穿。熱擊穿管子損壞，是不可逆的。 22 三、二極管的直流參數 1. 最大整流電流 IF： 管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流； 2. 反向擊穿電壓 VBR ( Breakdown Voltage ) 管子反向擊穿時的電壓值 一般手冊上給出的最高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半。 23 167。 二極管基本電路及其分析方法 一、二極管正向伏安特性的模型 1. 理想模型 ( Ideal Model ) 24 iD (b) + – vD 正偏時 ( forward bias )，管子導通正向壓降為 0； 反偏時 (reverse bias)，管子截止，電流為 0； 虛線為實際的伏安特性。 vD O iD (a) 圖 2－11 25 2. 恒壓降模型 vD 0 iD (a) iD (b) 圖 2－12 + – vD 導通時，正向壓降為 (硅 ) 否則，電流為 0。 要求 iD?1mA 26 3. 折線模型 vD O iD (a) iD (b) + – vD Vth 圖 2－13 ?Vth為二極管的死區(qū)電壓(門坎電壓 )，硅約 . ? rD的確定。 當 iD =1mA， 管壓降為 。 rD Vth rD 1mA + – = Vth +1rD rD = rD、 Vth不是固定不變的。 27 4. 小信號模型 ( Small—Signal Model ) ? 二極管的微變電阻 rd的定義 ： 二極管特性曲線工作點 Q附近電壓的變化量與相應的電流變化量之比 即 DDd ivr???圖 2－ 14 vD O Q VD ?vD ?iD ID iD 28 ? 求 rd： )1( TS ?? VVeIITTSdTdd1VIeVIvIrVV???)K3 0 0T( I )mV(26 Td ???? 當IVr如 I = 2mA時， rd = 13? 29 ? 工作在線性區(qū)， ? 信號為微變量， ? 且為低頻信號。 ? 若 二極管 ( Diode ) 二極管可用微變電阻 rd代替。 + _ ?iD ?vD rd 圖 2－ 14(b) 30 二、模型分析法應用舉例 模型分析法可分析二極管電路的靜態(tài)工作情況，限幅電路 ( Clippers)、開關電路(switching circuits)，等等。 例 2－ 1 設電路如圖， R=10K?。對于下列兩種情況，求電路的 ID和 VD的值。 (1) VDD =10V。 (2) VDD =1V。 (每種情況都用理想模型、恒壓降模型、折線模型求解 ) 31 VDD vD iD R 解： (1) VDD =10V ? 理想模型： D加正偏，導通時正向壓降為 0。 mA1DDD ?? RVI 0D ?V? 恒壓降模型：導 通時正向壓降為 。(鍺約為 ) ????? R VVI ?V+ _ 32 ? 折線模型 ( Piecewise Linear Model ) VDD rD iD R Vth DthDD
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1