模擬電子技術(shù)第4章-wenkub
2023-01-24 03:59:53 本頁面
【正文】 se bias P 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場外電場外電場使少子背離 PN 結(jié)移動， 空間電荷區(qū)變寬。 PN結(jié)呈導(dǎo)通狀態(tài)，電阻很小。勢壘電容： 是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。— PN 結(jié)燒毀。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用（一）、理想二極管特性uDiD符號及等效模型 S S正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ?（二）、二極管正向壓降等效電路uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)（三）二極管電路的分析方法構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。+UZ動態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。幾 ? ? 幾十 ?5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT一般，UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負溫度系數(shù)；UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)；4 V UZ 7 V， CTV 很小。流 過穩(wěn)壓 管的 電 流 為 ： 。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。 （ — ）（ — ）（ +）（ +）UCEUBEIBICIEUCEUBEIBICIE++——（實際方向） （規(guī)定正方向）NPN管 PNP管 截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū)結(jié)的偏置 發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏電流關(guān)系IB 、 IC、 IEIE= IB + IC =?IB 0 =?IC 0電位關(guān)系UB 、 UC、 UEUB UEUB UEUB UCUB UCUB UEUB UEUB UCUB UCUCUB UEUCUB UE =?IC β IBIC = β IB+(1+β) ICEOIC= βIBIB IBSIBS=ICSβNPN與 PNP管的情況如下 ：(一 )、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似三、晶體管的特性曲線電流： I c+I B=I E電壓： U CE=UBE UBCO特性基本 重合 (電流分配關(guān)系確定 )特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )導(dǎo)通電壓 UBE(on) 硅管： ( ? ) V鍺管： ( ? ) V 取 V取 V特點： 增加 UCE ，曲線右移、 ib減小、繼續(xù)增大 UCE ，曲線和 ib不變（二）、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。A10 181。A20 181。A30 181。A40 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)U(BR)CBO — 發(fā)射極開路時 C、 B 極 間反向擊穿電壓。集 射極反向擊穿電壓當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。O、射極間正向電壓 UBE的影響溫度升高、 NPN管子的 uBE減小，輸入曲線左移 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下 :3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管半導(dǎo)體三極管的型號例如：
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