【正文】 C發(fā)射電子思考：PNP型 BJT應(yīng)該如何連接？NPN型VCVBVE VCVBVEIE的方向由管內(nèi)流向管外IE的方向由管外流進管內(nèi)? |VBVE|的值較小，一般硅管 取 ~，鍺管取 ~? 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏PNP型? 電流分配關(guān)系(2) 根據(jù) KCL， iE=iC+iB，因此，基極電流可表示為(1) 集電結(jié)收集的電子流是發(fā)射結(jié)發(fā)射的總電子流的一部分，常用系數(shù) 表示，有(3) 由此可導出集電極與基極電流的關(guān)系為其中， 和 為兩種放大系數(shù)，它們之間存在如下轉(zhuǎn)換關(guān)系 1 1? 電流分配關(guān)系 當 BE之間的正向電壓加大時，將會有更多的電子從射區(qū)擴散到基區(qū)（ iE 增大），同時到達集電極的電子也會增加（ iC 增大），基區(qū)內(nèi)復合的電子數(shù)也會增加（ iB 增大）。VEE VCCIEIB發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(3) 集電極收集擴散過來的電子 由于集電結(jié)反偏，集電結(jié)的勢壘很高，集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴很難通過集電結(jié)。VEE VCCIEIB發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(2) 電子在基區(qū)中的擴散與復合 也就是說，注入基區(qū)的電子有一部分未到達集電結(jié)，如復合越多，則到達集電結(jié)的電子越少，對放大是不利的。電子復合的數(shù)目與電源從基區(qū)拉走的電子數(shù)目相等，使基區(qū)的空穴濃度保持不變。因此，電子就要向集電結(jié)方向擴散，在擴散過程中又會與基區(qū)中的空穴復合。 另外，基區(qū)的空穴也擴散到發(fā)射區(qū)，但由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠高于基區(qū)，這部分空穴流與電子流相比可忽略不計。2. 漂移運動 少子在內(nèi)電場作用下的運動，削弱內(nèi)電場， 使擴散運動容易進行無外加電場時擴散運動和漂移運動處于平衡狀態(tài)外加正向偏壓（ P N）時PN結(jié)正向?qū)?，由擴散運動產(chǎn)生正向電流 IF外加反向偏壓（ P N）時PN結(jié)反向截止，由漂移運動產(chǎn)生反向飽和電流 IS I ? IS反向偏壓繼續(xù)增加 電擊穿（可逆），熱擊穿（不可逆）N型半導體P型半導體二極管死區(qū)電壓反向擊穿電壓vDiD0 vDiD0vDiD0 vD0iDvDiDVDID Q理想模型 恒壓降模型折線模型 小信號模型　穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū)I/mAU/VO+ ?正向? +反向?U?I動態(tài)電阻rZ小的管子穩(wěn)壓性能較好第二部分 半導體三極管? BJT的結(jié)構(gòu)簡介? BJT的電流分配與放大作用? BJT的特性曲線? 半導體三極管 半導體三極管 (Bipolar Junction Transistor: BJT)是指通過一定的工藝，將兩個 PN結(jié)結(jié)合在一起的器件。(a) (b) (c) (d)4. 穩(wěn)壓管 DZ的穩(wěn)定電壓VZ=8V，限流電阻 R=3kΩ，設(shè)vi=15sinωtV，試畫出 vO的波形。理想模型 恒壓模型5V6sinωtD1 D2D D2為硅管3. 二極管電路如圖所示，試判斷圖中的二極管是導通還是截止，并求出 AO兩端電壓 VAO。1. 若輸入電壓為正弦信號，請畫出以下電路的輸出電壓波形思考題2. 當 vi1和 vi2的值為 0V或 5V時 ,求 vi1和 vi2的值不同組合情況下，輸出電壓 vo的值。 3. 穩(wěn)定電流 IZ 測定 VZ時所規(guī)定的參考穩(wěn)定電流值。vD0圖 115 小信號模型(a) V— I 特性 (b) 代表符號iDvDiDiD+vD rdVDIDQ? 穩(wěn)壓管 穩(wěn)壓管一種特殊的面接觸型半導體硅二極管 　　 穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū)(a)穩(wěn)壓管符號 (b) 穩(wěn)壓管伏安特性+I/mAU/VO+ ?正向? +反向?U?I圖 116　穩(wěn)壓管的伏安特性和符號 穩(wěn)壓管的參數(shù)主要有以下幾項： 1. 穩(wěn)定電壓 VZ 穩(wěn)壓管被反向擊穿后，在規(guī)定電流值時，管子兩端的反 向擊穿電壓。vDiD0D圖 113 恒壓降模型(a) V— I 特性 (b) 代表符號vD iD+? 二極管正向 V— I特性的建模 （ 3）折線模型：認為二極管的管壓降不是恒定的，模型中用一個電池和電阻 rD來作進一步的近似，電池電壓選定為二極管的門坎電壓 Vth，約為 ， rD的值為 (管壓降 Vth) /二極管的導通電流。該模型提供了合理的近似，用途廣泛。? 二極管正向 V— I特性的建模 (1) 理想模型：相當于一個理想開關(guān)，正偏時二極管導通管壓降為 0V，反偏時電阻無窮大，電流為零。 (4) 最高工作頻率 fM fM反映了 PN結(jié)電容的影響。一般手冊上給出 的最高反向工作電壓 VRM為擊穿電壓的一半。? 二極管的參數(shù) (1) 最大整流電流 IFM　 二極管允許通過的最大正向平均電流。p 當 V Vth時 反向電流急劇增大， 這種現(xiàn)象稱為 反向擊穿 。p 當 V Vth時 外加電場足以克服內(nèi)電場，擴散運動迅速增加，開始產(chǎn)生正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增加。? 二極管的 V— I特性 圖 111 二極管 V— I特性曲線(1) 正向特性（外加正偏電壓）p 當 0＜ V＜ Vth時 外電場還不足以克服 PN 結(jié)的內(nèi)電場， 正向擴散電流仍幾乎為零。面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。二極管按結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。　　 二極管加正向電壓，即 V 0，且 V VT ，則