【正文】 增長， PN結(jié)變厚，導(dǎo)電溝道變窄，當(dāng)負(fù)向增長到某值時(shí)，兩個(gè) PN結(jié)合攏，導(dǎo)電溝道被 完全夾斷完全夾斷 ， 此時(shí)的UGS稱為 完全夾斷電壓，完全夾斷電壓， 記為 UGS （（ off）） 。U(BR)EBO — 集電極極開路時(shí) E、 B 極 間反向擊穿電壓。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件U(BR)CBO — 發(fā)射極開路時(shí) C、 B 極 間反向擊穿電壓?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過時(shí) ? 值明顯降低。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上。A20 181。A40 181。A10 181。A30 181。O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 181。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)% 。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū)： uCE ? u BEuCB = uCE ? u BE ? 0條件： 兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)： IC ? ? IB臨界飽和時(shí)： uCE = uBE深度飽和時(shí)： V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、溫度對特性曲線的影響1. 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。A20 181。A40 181。A10 181。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個(gè)結(jié)反偏截止區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A20 181。A40 181。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。IR = IZ + ILUO= UI – IR RUI UORRLILIRIZ《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 發(fā)光二極管與光敏二極管一、發(fā)光二極管 LED (Light Emitting Diode)1. 符號和特性工作條件： 正向偏置一般工作電流幾十 mA， 導(dǎo)通電壓 (1 ? 2) V符號u /Vi /mAO 2特性《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 主要參數(shù)電學(xué)參數(shù)： I FM ， U(BR) ， IR光學(xué)參數(shù)： 峰值波長 ?P， 亮度 L， 光通量 ?發(fā)光類型： 可見光： 紅、黃、綠顯示類型： 普通 LED ，不可見光： 紅外光點(diǎn)陣 LED七段 LED ,《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、光敏二極管1．符號和特性符號 特性uiO暗電流E = 200 lxE = 400 lx工作條件：反向偏置2. 主要參數(shù)電學(xué)參數(shù)：暗電流，光電流，最高工作范圍光學(xué)參數(shù)：光譜范圍，靈敏度，峰值波長 實(shí)物照片《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件補(bǔ)充： 選擇二極管限流電阻步驟：1. 設(shè)定工作電壓 (如 V； 2 V (LED)； UZ )2. 確定工作 電流 (如 1 mA； 10 mA； 5 mA)3. 根據(jù)歐姆定律求電阻 R = (UI ? UD)/ ID(R 要選擇標(biāo)稱值 )《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　雙極型　雙極型 半導(dǎo)體半導(dǎo)體三極管三極管 晶體三極管 晶體三極管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù)返回二極管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(Semiconductor Transistor) 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件分類：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP按使用頻率分： 低頻管、高頻管大功率管 1 W中功率管 ?1 W《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件實(shí)現(xiàn)電路 :《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。幾 ? ? 幾十 ?《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT一般，UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負(fù)溫度系數(shù)；UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)；4 V UZ 7 V， CTV 很小。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時(shí)不穩(wěn)壓。ui 較小，宜采用恒壓降模型ui VV V2 均截止 uO = uiuO = Vui ? VV2 導(dǎo)通 V１ 截止ui ? VV1 導(dǎo)通 V2 截止 uO = ? V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件思考題 : V V2 支路各串聯(lián)恒壓源，輸出波形如何？ (可 切至 EWB )O tuO/ VO tui / V2? 至晶體管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 圖解法和微變等效電路法一、二極管電路的直流圖解分析 uD = VDD ? iDRiD = f (uD) V100 ? iD / mA12840 uD / MN直流負(fù)載線斜率 ? 1/R靜態(tài)工作點(diǎn)斜率 1/RDiDQIQUQ《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件也可取 UQ = VIQ= (VDD ? UQ) / R = 5 (mA) 二極管直流電阻 RD《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iD / mAuD /VO二、交流圖解法電路中含直流和小信號交流電源時(shí) ,二極管中 含交、直流 成分C 隔直流 通交流當(dāng) ui = 0 時(shí) iD = IQUQ= V (硅 )， V (鍺 )設(shè) ui = sin ?tVDDVDD/ RQIQ?tOuiUQ斜率 1/rd《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iD / mAuD /VOVDDVDD/ RQIQ?tOuiUQiD / mA?tOid斜率 1/rdrd = UT / IQ= 26 mV / IQ當(dāng) ui 幅度較小時(shí)，二極管伏安特性在Q點(diǎn)附近近似為直線《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件ui udRidrd三、微變等效電路分析法對于交流信號電路可等效為例 ui = 5sin?t (mV)， VDD= 4 V， R = 1 k?， 求 iD 和 uD。(按理想模型 )O tui / V15RLV1V2V3V4ui BA uO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件O tuO/ V15　 　 若有條件，可切換到 EWB 環(huán)境觀察橋式整流波形。解： 假設(shè)二極管斷開UP = 15 VUP UN 二極管導(dǎo)通等效為 V 的恒壓源 P N《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? = (V)IO = UO / RL= / 3?= (mA)I2 = (UO ? VDD2) / R = ( ? 12) / 1?= (mA)I1 = IO + I2 = + = (mA)