【正文】 配和放大原理三極管具有電流控制作用的外部條件 : （ 1）發(fā)射結(jié)正向偏置；（ 2）集電結(jié)反向偏置。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。(2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。1. N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱為 N型半導(dǎo)體 。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 在熱力學(xué)溫度零度和沒有外界激發(fā)時 ,本征半導(dǎo)體不導(dǎo)電。 典型的半導(dǎo)體是 硅 Si和 鍺 Ge， 它們都是 4價元素 。（一）本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體 —— 化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。 本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)硅原子價電子+4 +4 +4+4 +4 +4+4 +4 +4模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 可見本征激發(fā)同時產(chǎn)生電子空穴對。空穴硼原子硅原子多數(shù)載流子 —— 空穴少數(shù)載流子 —— 自由電子－－－ －－－－－－ －－－P型半導(dǎo)體受主離子空穴電子空穴對2. P型半導(dǎo)體模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖++++++++++++N型半導(dǎo)體多子 — 電子少子 — 空穴－－－ －－－－－－ －－－P型半導(dǎo)體多子 — 空穴少子 — 電子少子濃度 —— 與溫度有關(guān)多子濃度 —— 與溫度無關(guān)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁二、二、 PN 結(jié)結(jié)（一）（一） PN 結(jié)的形成結(jié)的形成內(nèi)電場 E多子擴(kuò)散電流少子漂移電流耗盡層 用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上 ,形成 P型半導(dǎo)體區(qū)域和 N型半導(dǎo)體區(qū)域 ,在這兩個區(qū)域的交界處就形成了一個 PN 結(jié)。當(dāng) u0 uUT時當(dāng) u0 |u||U T |時模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（四） PN結(jié)的電容效應(yīng) 當(dāng)外加電壓發(fā)生變化時，耗盡層的寬度要相應(yīng)地隨之改變，即 PN結(jié)中存儲的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。代表器件的材料， A為 N型 Ge， B為 P型 Ge， C為 N型 Si， D為 P型 Si。 DA –12VYABDB R 二極管的 應(yīng)用范圍很廣 ,它可用與整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。 共基直流電流放大系數(shù)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁(2)IC與 I B之間的關(guān)系：聯(lián)立以下兩式 ：得：所以 ：得：令 ： 共射直流電流放大系數(shù)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁IBUBE0UCE ≥ 1V死區(qū)電壓1. 三極管的輸入特性 （共發(fā)射極接法）IB = f (UBE ) UC E = 常數(shù)三、三、 三極管的特性曲線三極管的特性曲線模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（ 1） uCE=0V時，相當(dāng)于兩個 PN結(jié)并聯(lián)。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時，因集電極無收集作用， iC=0。A40 181。 此時，發(fā) 射結(jié)正偏，集電 結(jié)反偏。當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70％時，所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流 ICM。A20181。三個電極： g：柵極 d：漏極 s：源極符號：N溝道 P溝道兩個高摻雜 P區(qū)接在一起模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 2. 結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理 （ 1）柵源電壓對溝道的控制作用 在柵源間加 負(fù)電壓 uGS ，令uDS =0 ① 當(dāng) uGS=0時，為平衡 PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。預(yù)夾斷前， uDS↑→ iD ↑?？勺冸娮鑵^(qū) 恒流區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（ 2）轉(zhuǎn)移特性曲線： iD=f（ uGS ） │uDS=常數(shù) 可根據(jù)輸出特性曲線作出 移特性曲線 。① 柵源電壓 uGS的控制作用模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 定義： 開啟電壓（ UT） —— 剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓 UGS,也記為 UGS(th)。 （恒流區(qū)）模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁（ 3）特性曲線 四個區(qū)：（ a）可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 MOSFET特點(diǎn)： 當(dāng) uGS=0時，就有溝道，加入 uDS， 就有 iD。 （請大家自學(xué)）模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁4. MOS管的主要參數(shù)（ 1）開啟電壓 UT（ 2）夾斷電壓 UP（ 3）跨導(dǎo) gm ： gm=?iD/?uGS? uDS=const （ 4）直流輸入電阻 RGS —— 柵源間的等效電阻。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四 .雙極型和場效應(yīng)型三極管的比較雙極型三極管 單極型場效應(yīng)管載流子 多子 +少子 多子輸入量 電流輸入 電壓輸入控制 電流控制電流源 電壓控制電流源輸入電阻 幾十到幾千歐 幾兆歐以上噪聲 較大 較小靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響制造工藝 不宜大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT