模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件--14--場效應(yīng)管(參考版)
2025-01-04 09:04本頁面
【正文】 — 柵極與漏極間電容Csd輸出電阻 rds9.：反映了柵源壓對漏極電流的控制作用。GSJFET：反向飽和電流劇增時的柵源電壓MOS：使 SiO2絕緣層擊穿的電壓3/8/20237.使 ID開始劇增時的 VDS。5.直流輸入電阻 RGS:柵源間所加的恒定電壓 VGS與流過柵極電流 IGS之比。開啟電壓 VT： MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 ,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。耗盡型場效應(yīng)三極管當(dāng) VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。3.夾斷電壓 VP：是耗盡型 FET的參數(shù)，當(dāng) VGS=VP當(dāng) VGS＜ 0時，隨著 VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至 iD=0，對應(yīng)iD=0的 VGS稱為夾斷電壓，用符號VP表示。當(dāng) VGS=0時， VDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流 iD,此時的漏極電流稱為漏極飽和電流，用 IDSS表示。耗盡型 MOS場效應(yīng)管? 一 N溝道 耗盡 型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)? 二 N溝道 耗盡 型 MOS的工作原理? 三 N溝道 耗盡 型 MOS場效應(yīng)管特性曲線3/8/2023一、 N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)3/8/2023P溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)3/8/2023二、 N溝道 耗盡型 MOS場效應(yīng)管工作原理vGS/V3/8/2023三、 vDS(V)iD(mA)3/8/2023三、 N溝道 增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管特性曲線 增強(qiáng)型 MOS管iD=f(vGS)?vDS=C 轉(zhuǎn)移特性曲線iD=f(vDS)?vGS=C＜ VT導(dǎo)電溝道夾斷的區(qū)域向源極方向延伸，對應(yīng)特性曲線的飽和區(qū)， 此時的漏極電流 ID 基本飽和。對應(yīng)特性曲線的可變電阻區(qū)電壓源 VDS的作用使導(dǎo)電溝道有電流流通，電流的流通使導(dǎo)電溝道從漏極到源極有電位降3/8/2023 （ 3）只有電壓源 VDS起作用，電壓源 VGS的電壓值為 0（ ） 電壓源 VDS的值 增加 使 VGD=VGS－ VDS當(dāng) VDS=0V， VGSVT時 ,（ ） 當(dāng) VDS=0V，當(dāng) VGS=VT時，在 P型襯底表面形成一層 電子層 ，形成 N型導(dǎo)電溝道3/8/2023（ ） 當(dāng) VGS=0V在給出各種情況下的 MOS場效應(yīng)管的工作狀態(tài)時，同時畫出對應(yīng)的輸出特性曲線。漏極和源極相當(dāng)于開關(guān)的兩個觸點，在可變電阻區(qū)，相當(dāng)于開關(guān)閉合，在截止區(qū)，相當(dāng)于開關(guān)斷開，場效應(yīng)管相當(dāng)于一個無觸點的開關(guān)。,VGS電壓的絕對值越大，漏極電流越小，管子工作在恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)），此時導(dǎo)電溝道已經(jīng)出現(xiàn)預(yù)夾斷，夾斷區(qū)域向漏極方向延伸，但是仍然留存一部分導(dǎo)電溝道；?VGS的絕對值越大，導(dǎo)電溝道就越窄，對應(yīng)的導(dǎo)電溝道電阻越大，即電壓 VGS控制電阻的大小，管子工作在可變電阻區(qū)，當(dāng)作壓控可變電阻使用時，導(dǎo)電溝道還沒有出現(xiàn)預(yù)夾斷；?? JFET是利用 PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。iD趨于飽和。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1