模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件--14--場(chǎng)效應(yīng)管(編輯修改稿)
2025-01-20 09:04 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 先相接，導(dǎo)電溝道被預(yù)夾斷 ,在此點(diǎn)有│UGS│+UDS=│Up│。 JFET的狀態(tài)對(duì)應(yīng)輸出特性曲線(xiàn)中的 M點(diǎn)。M點(diǎn)對(duì)應(yīng)的 UDS值比 A點(diǎn)對(duì)應(yīng)的UDS值小，因?yàn)?UDS=│Up││UGS││Up│。3/8/2023() UGS=1伏、 UDS的值繼續(xù)增加 當(dāng) UDS繼續(xù)增加時(shí)，兩邊PN結(jié)相接的區(qū)域繼續(xù)向源極方向擴(kuò)展，此時(shí)導(dǎo)電溝道在靠近源極的區(qū)域依然存在，導(dǎo)電溝道對(duì)應(yīng)的電阻比較小。漏極電流不隨UDS的增加而增加。3/8/2023(） UGS=1伏、 UDS繼續(xù)增加至出現(xiàn) PN結(jié)擊穿UGS 和 UDS電壓源分別使 PN結(jié)反偏，它們共同作用使靠近漏極的 PN結(jié)承受最大的反偏電壓， UDS增加使 PN結(jié)上的反偏電壓過(guò)大時(shí)，在靠近漏極的區(qū)域首先出現(xiàn)反向擊穿。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入反向擊穿狀態(tài)，此時(shí)的 UDS值比 UGS=0時(shí)出現(xiàn)反向擊穿的UDS小。3/8/2023(5)當(dāng) UGS≤UP時(shí)， JFET處于截止?fàn)顟B(tài)當(dāng) UGS≤ UP時(shí)，導(dǎo)電溝道全部被夾斷， JFET處于截止?fàn)顟B(tài)，在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài) ,對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。 不同 UGS下預(yù)夾斷點(diǎn)相連成一條曲線(xiàn)，此曲線(xiàn)與縱軸相夾的區(qū)域稱(chēng)為可變電阻區(qū)。此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)作壓控可變電阻，即非線(xiàn)性電阻來(lái)使用?？勺冸娮鑵^(qū)在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合，此時(shí)的 UDS記為 UDS（ sat） ，UDS（ sat） ≤│Up│。3/8/2023JFET的三個(gè)狀態(tài)? 恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)）? 可變電阻區(qū)? 截止區(qū)3/8/2023小結(jié)? 溝道中只有一種類(lèi)型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以 場(chǎng)效應(yīng)管也稱(chēng)為單極型三極管。? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制。? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線(xiàn)性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。思考：思考： 為什么為什么 JFET的輸入電阻比的輸入電阻比 BJT高得多？高得多？? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因此 iG?0，輸入電阻很高。? JFET是利用 PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。3/8/2023場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用小結(jié) ? 一是當(dāng)作壓控可變電阻，即非線(xiàn)性電阻來(lái)使用， VGS的絕對(duì)值越大，導(dǎo)電溝道就越窄，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電溝道電阻越大，即電壓 VGS控制電阻的大小，管子工作在可變電阻區(qū)，當(dāng)作壓控可變電阻使用時(shí)，導(dǎo)電溝道還沒(méi)有出現(xiàn)預(yù)夾斷；?二是當(dāng)作電壓控制器件用來(lái)組成放大電路， VGS電壓控制漏極電流的大小，控制比例系數(shù)為 gm,VGS電壓的絕對(duì)值越大，漏極電流越小，管子工作在恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)），此時(shí)導(dǎo)電溝道已經(jīng)出現(xiàn)預(yù)夾斷，夾斷區(qū)域向漏極方向延伸，但是仍然留存一部分導(dǎo)電溝道；?三是在數(shù)字電路中用做開(kāi)關(guān)元件，管子工作在可變電阻區(qū)和截止區(qū)，有兩個(gè)明確、穩(wěn)定的狀態(tài)。漏極和源極相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的兩個(gè)觸點(diǎn)，在可變電阻區(qū)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合，在截
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