模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件--14--場效應(yīng)管(編輯修改稿)
2025-01-20 09:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 先相接，導(dǎo)電溝道被預(yù)夾斷 ,在此點有│UGS│+UDS=│Up│。 JFET的狀態(tài)對應(yīng)輸出特性曲線中的 M點。M點對應(yīng)的 UDS值比 A點對應(yīng)的UDS值小，因為 UDS=│Up││UGS││Up│。3/8/2023() UGS=1伏、 UDS的值繼續(xù)增加 當(dāng) UDS繼續(xù)增加時，兩邊PN結(jié)相接的區(qū)域繼續(xù)向源極方向擴展，此時導(dǎo)電溝道在靠近源極的區(qū)域依然存在，導(dǎo)電溝道對應(yīng)的電阻比較小。漏極電流不隨UDS的增加而增加。3/8/2023(） UGS=1伏、 UDS繼續(xù)增加至出現(xiàn) PN結(jié)擊穿UGS 和 UDS電壓源分別使 PN結(jié)反偏，它們共同作用使靠近漏極的 PN結(jié)承受最大的反偏電壓， UDS增加使 PN結(jié)上的反偏電壓過大時，在靠近漏極的區(qū)域首先出現(xiàn)反向擊穿。結(jié)型場效應(yīng)管進入反向擊穿狀態(tài)，此時的 UDS值比 UGS=0時出現(xiàn)反向擊穿的UDS小。3/8/2023(5)當(dāng) UGS≤UP時， JFET處于截止?fàn)顟B(tài)當(dāng) UGS≤ UP時，導(dǎo)電溝道全部被夾斷， JFET處于截止?fàn)顟B(tài)，在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個狀態(tài) ,對應(yīng)于開關(guān)斷開。 不同 UGS下預(yù)夾斷點相連成一條曲線，此曲線與縱軸相夾的區(qū)域稱為可變電阻區(qū)。此時場效應(yīng)管當(dāng)作壓控可變電阻，即非線性電阻來使用。可變電阻區(qū)在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)閉合，此時的 UDS記為 UDS（ sat） ，UDS（ sat） ≤│Up│。3/8/2023JFET的三個狀態(tài)? 恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)）? 可變電阻區(qū)? 截止區(qū)3/8/2023小結(jié)? 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以 場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制。? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。思考：思考： 為什么為什么 JFET的輸入電阻比的輸入電阻比 BJT高得多？高得多？? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因此 iG?0，輸入電阻很高。? JFET是利用 PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。3/8/2023場效應(yīng)管的應(yīng)用小結(jié) ? 一是當(dāng)作壓控可變電阻，即非線性電阻來使用， VGS的絕對值越大，導(dǎo)電溝道就越窄，對應(yīng)的導(dǎo)電溝道電阻越大，即電壓 VGS控制電阻的大小，管子工作在可變電阻區(qū)，當(dāng)作壓控可變電阻使用時，導(dǎo)電溝道還沒有出現(xiàn)預(yù)夾斷；?二是當(dāng)作電壓控制器件用來組成放大電路， VGS電壓控制漏極電流的大小，控制比例系數(shù)為 gm,VGS電壓的絕對值越大，漏極電流越小，管子工作在恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)），此時導(dǎo)電溝道已經(jīng)出現(xiàn)預(yù)夾斷，夾斷區(qū)域向漏極方向延伸，但是仍然留存一部分導(dǎo)電溝道；?三是在數(shù)字電路中用做開關(guān)元件，管子工作在可變電阻區(qū)和截止區(qū)，有兩個明確、穩(wěn)定的狀態(tài)。漏極和源極相當(dāng)于開關(guān)的兩個觸點，在可變電阻區(qū)，相當(dāng)于開關(guān)閉合，在截
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