場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(1)(編輯修改稿)
2025-05-26 05:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 e ? S , c ? D 為了使場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)實(shí)現(xiàn)放大作用 ， 應(yīng)滿足： G S TD S G S T uVu u V???與雙極型三極管對(duì)應(yīng)關(guān)系 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn) (VGSQ 、 IDQ VDSQ)的計(jì)算 （ 1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2兩種方法 近似估算法 圖解法 假設(shè)工作在飽和區(qū) (放大區(qū) ） 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 解： V2V54060 40 DDg2g1g2G S Q ?????????????? VRRRV)12()()( 22TGSnDQ ?????? VVKIV2V)(dDDDD SQ ?????? RIVV例 設(shè) Rg1=60k?， Rg2=40k?， Rd=15k?， 220 V/ ?K試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 (例 ） 2)( TGSnD VVKI ??假設(shè)工作在飽和區(qū) (放大區(qū) ） ： 需要驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)()( dDSSDDDS RRIVVV ????])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 靜態(tài)時(shí) ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） VDS ＝ VD － VS =VDD－ IDRD－ VS 電流源作偏置的 NMOS共源極 放大電路 (例 ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開(kāi)路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同 在漏極特性曲線上做直流負(fù)載線 ， 與 uGS = UGSQ 的交點(diǎn)確定 Q， 由 Q 確定 UDSQ 和 IDQ值 。 uDS = VDD – iDRd MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動(dòng)態(tài)值 （交流） 非線性失真項(xiàng) 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時(shí)， DQD Ii ? gsm vg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時(shí) 高頻小信號(hào)模型 其他類型的 MOSFET小信號(hào)模型，在電路形式上一樣，參數(shù)計(jì)算式有所不同，如 gm。 2. 小信號(hào)模型分析 解：例 求得： ?I V2G S Q ?V S Q ?VmS1 mS)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 2. 小信號(hào)模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo Rg vv ??)1()( mgsgsmgsi RgRg ???? vvvvRgRgAmdmio1 ???? vvvg2g1i || RRR ?do RR ?siisiiosos
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