場效應(yīng)管ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-02-10 13:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 vGS0 五、說明： （ 1） MOS管由四種基本類型； （ 2） MOS管的特性與結(jié)型場效應(yīng)管的特性類似； （ 3）增強(qiáng)型的 MOS管的 vGS必須超過一定的值以使溝道形成； 耗盡型的 MOS管使形成溝道的 vGS可正可負(fù)； （ 4） MOS管的輸入阻抗特別高 （ 5）衡量場效應(yīng)管的放大能力用跨導(dǎo) 單位： ms DSGSDmVVIg???GGSDCGS IVR ?)(六、 MOS管的有關(guān)問題 （ 2） 交流參數(shù) 低頻跨導(dǎo)： 極間電容：柵源電容 CGS， 柵漏電容 CGD， 漏源電容 CDS （ 3）極限參數(shù) 最大漏極電流 IDM，最大耗散功率 P0M，漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 VBR)GS 主要參數(shù) （ 1）直流參數(shù) 開啟電壓 VT—— 指增強(qiáng)型的 MOS管 夾斷電壓 VP—— 指耗盡型的 MOS管 零柵壓漏極電流 IDSS 直流輸入電阻： 通常很大 1010~1015Ω左右 三 極 管 場 效 應(yīng) 管導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 雙極性器件 單極性器件導(dǎo)電方式 載流子的擴(kuò)散與漂移 漂移控制方式 電流控制 電壓控制類 型 NP N 型、 P NP 型 P 、 N 溝道，增強(qiáng)、耗盡型放大參數(shù) β = 30~100 gm= 1~6m s輸入電阻 102~104Ω 107~1015Ω抗輻射能力 差 好噪 聲 大 小熱穩(wěn)定性 差 好制造工藝 復(fù)雜 簡單、成本低；便于集成靈活性 C 、 E 不能互換 D 、 S 可以互換六、 MOS管的有關(guān)問題 場效應(yīng)管與三極管的比較 六、 MOS管的有關(guān)問題 使用注意事項(xiàng) （ 1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，但可在開路狀態(tài)下保存； （ 2） MOS管在不使用時(shí)，須將各個(gè)電極短接； （ 3）焊接時(shí)，電烙鐵必須有外接地線，最好是斷電后再焊接； （ 4）結(jié)型場效應(yīng)管可用萬用表定性檢測管子的質(zhì)量，而MOS管必須用專門的儀器來檢測； （ 5）若用四引線的場效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)正確連接； vGS iD 0 vDS:N溝道加正壓 P溝道加 負(fù)壓 (a)轉(zhuǎn)移特性 IDSS VP IDSS N溝道 JFET N溝道增強(qiáng) MOS VT N溝道耗盡 MOS P溝道耗盡 MOS P溝道增強(qiáng) MOS VT P溝道 JFET VP VP VP (b)輸出特性 uD SiD0可 變 電 阻 區(qū)01234560123 1 2 3 3 4 5 6 7 8 9結(jié) 型P 溝耗 盡 型M O SP 溝 道 3 4 5 60 1 20123 1 2 3 3456789結(jié) 型N 溝耗 盡 型 增 強(qiáng) 型M O SN 溝 道VG S/ VVG S/ V結(jié)型 vGS和 vDS相反 增強(qiáng)型 vGS同 vDS同極性 耗盡型 vGS任意 極 性 放大區(qū)條件 vDS N溝道管：正極性 (vDS0) vDSvGS－ VP0 P溝道管：負(fù)極性 (vDS0) vDSVGS－ VP0 vGS 結(jié)型管： 反極性 增強(qiáng)型 MOS管：同極性 耗盡型 MOS管：雙極型 N溝道管： vGSVP(或 VT) P溝道管： vGSVP(或 VT) FET放大偏置時(shí) vDS與 vGS應(yīng)滿足的關(guān)系 167。 (1) 靜態(tài)：適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)，使場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，場效應(yīng)管的偏置電路相對簡單。 (2) 動(dòng)態(tài)：能為交流信號提供通路。 組成原則： 靜態(tài)分析： 估算法、圖解法。 動(dòng)態(tài)分析： 微變等效電路法。 分析方法： 場效應(yīng)管是電壓控制器件。它利用柵源電壓來控制漏極電流的變化。它的放大作用以跨導(dǎo)來體現(xiàn)，在場效應(yīng)管的漏極特性的水平部分，漏極電流 iD的值主要取決于 vGS，而幾乎與 vDS無關(guān)。 自偏壓電路 分壓式自偏壓電路 SV??GSV GVDDg2g1g2 VRRR??RID?Rg：使 g與地的直流電位幾乎相同（因上無電流）。 R：當(dāng) IS流過 R時(shí)產(chǎn)生直流壓降 ISR，使 S對地有一定的電壓： VGS=－ ISR=－ IDR0 1. 直流偏置電路 VD
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