mos場(chǎng)效應(yīng)管講述(編輯修改稿)
2024-11-19 05:57 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ,DMOS管結(jié)構(gòu),第二十一頁(yè)，共五十三頁(yè)。,NDMOS管伏安特性,VDS 0，VGS 正、負(fù)、零均可。,外部工作條件：,DMOS管在飽和區(qū)與非飽和區(qū)的ID表達(dá)式與EMOS管相同。,PDMOS與NDMOS的差別僅在于電壓極性與電流方向相反。,第二十二頁(yè)，共五十三頁(yè)。,3.1.3 四種MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較,電路符號(hào)及電流流向,轉(zhuǎn)移特性,第二十三頁(yè)，共五十三頁(yè)。,飽和區(qū)（放大區(qū)）外加電壓極性及數(shù)學(xué)模型,VDS極性取決于溝道類(lèi)型,N溝道：VDS 0， P溝道：VDS 0,VGS極性取決于工作方式及溝道類(lèi)型,增強(qiáng)型MOS管： VGS 與VDS 極性相同。,耗盡型MOS管： VGS 取值任意。,飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型與管子類(lèi)型無(wú)關(guān),第二十四頁(yè)，共五十三頁(yè)。,臨界飽和工作條件,非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）工作條件,|VDS | = | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) |，,|VDS | | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) | ，,飽和區(qū)（放大區(qū)）工作條件,|VDS | | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) |，,非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）數(shù)學(xué)模型,第二十五頁(yè)，共五十三頁(yè)。,FET直流簡(jiǎn)化電路模型(與三極管相對(duì)照),場(chǎng)效應(yīng)管G、S之間開(kāi)路 ，IG?0。,三極管發(fā)射結(jié)由于正偏而導(dǎo)通，等效為VBE(on) 。,FET輸出端等效為壓控電流源，滿(mǎn)足平方律方程：,三極管輸出端等效為流控電流源，滿(mǎn)足IC=? IB 。,第二十六頁(yè)，共五十三頁(yè)。,3.1.4 小信號(hào)電路模型,MOS管簡(jiǎn)化小信號(hào)電路模型(與三極管對(duì)照),rds為場(chǎng)效應(yīng)管輸出電阻：,由于場(chǎng)效應(yīng)管IG?0，所以輸入電阻rgs ??。,而三極管發(fā)射結(jié)正偏，故輸入電阻rb?e較小。,與三極管輸出電阻表達(dá)式 相似。,第二十七頁(yè)，共五十三頁(yè)。,MOS管跨導(dǎo),利用,得,三極管跨導(dǎo),通常MOS管的跨導(dǎo)比三極管的跨導(dǎo)要小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，即MOS管放大能力比三極管弱。,第二十八頁(yè)，共五十三頁(yè)。,計(jì)及襯底效應(yīng)的MOS管簡(jiǎn)化電路模型,考慮到襯底電壓vus對(duì)漏極電流id的控制作用，小信號(hào)等效電路中需增加一個(gè)壓控電流源gmuvus。,gmu稱(chēng)背柵跨導(dǎo)，工程上,? 為常數(shù)，一般? = 0.1~ 0.2,第二十九頁(yè)，共五十三頁(yè)。,MOS管高頻小信號(hào)電路模型,當(dāng)高頻應(yīng)用、需計(jì)及管子極間電容影響時(shí)，應(yīng)采用如下高頻等效電路模型。,第三十頁(yè)，共五十三頁(yè)。,場(chǎng)效應(yīng)管電路分析方法與三極管電路分析方法相似，可以采用估算法分析電路直流工作點(diǎn)；采用小信號(hào)等效電路法分析電路動(dòng)態(tài)指標(biāo)。,3.1.5 MOS管電路分析方法,場(chǎng)效應(yīng)管估算法分析思路與三極管相同，只是由于兩種管子工作原理不同，從而使外部工作條件有明顯差異。因此用估算法分析場(chǎng)效應(yīng)管電路時(shí)，一定要注意自身特點(diǎn)。,估算法,第三十一頁(yè)，共五十三頁(yè)。,MOS管截止模式判斷方法,假定MO
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