結(jié)型場效應(yīng)管介紹ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 01:48 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 反向電流增大，柵源極間的電阻會顯著下降。 * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （ MetalSmeiconductor FieldEffect Transistor) MESFET 以 N溝道為主 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOSFET (MetalOxidesemiconductor type Field Effect Transistor) 特點(diǎn)：輸入電阻很高，最高可達(dá)到 1015歐姆。 表面場效應(yīng)器件 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 耗盡型是當(dāng) vGS=0時，存在導(dǎo)電溝道， iD≠0. 增強(qiáng)型是當(dāng) vGS=0時，不存在導(dǎo)電溝道， iD=0 。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 :(MOS) 1 結(jié)構(gòu)和電路符號 P N N g s d P型硅襯底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 金屬鋁 g s d N汮道增強(qiáng)型 MOSFET 三個鋁電極 柵極與漏極、源極無電接觸。 2 工作原理 以 N 溝道增強(qiáng)型為例 P N N G S D VDS VGS VGS=0時 DS 間相當(dāng)于兩個反接的PN結(jié) iD=0 對應(yīng)截止區(qū) (1) VGS 改變感生溝道電阻以控制 iD的大小。 P N N G S D VDS VGS VGS0時 VGS足夠大時（ VGSVT） 感應(yīng)出足夠多電子，這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的 N型導(dǎo)電溝道。 感應(yīng)出電子 VT稱為閾值電或開啟電壓： 在 VDS 作用下開始導(dǎo)電的 VGS 。 VGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將 DS連接起來， VGS越大此電阻越小。 P N N G S D VDS VGS VDS0時 iD P N N G S D VDS VGS 當(dāng) VDS不太大時，導(dǎo)電溝道在兩個 N區(qū)間是均勻的。 當(dāng) VDS較大時，靠近 D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。 （ 2） VDS改變 iD P N N G S D VDS VGS 夾斷后，即使 VDS 繼續(xù)增加， iD仍呈恒流特性 。 iD VDS增加， VGD=VT 時，靠近 D端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。 （ 1）輸出特性曲線 iD V DS 0 VGS0 N溝道 MOS管的特性曲線 c o ns t .DSD GS)( ?? vvfi可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 擊穿區(qū) N溝道 MOS管的特性曲線 (2)轉(zhuǎn)移特性曲線 0 iD vGS VT vDS=10V c o ns t .GSD DS)( ?? vvfi(3)計(jì)算公式 )()1( 2GSD TGSTDO VvVvIi ???N P P g s d
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