場效應管放大電路(1)-全文預覽
【正文】 應管 特點 單極型器件 (一種載流子導電 )； 輸入電阻高； 工藝簡單 、 易集成 、 功耗小 、 體積小 、成本低 。 然后在半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅 (SiO2)絕緣層，在漏 源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極 ,作為 柵極 g。 N溝道增強型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） L ：溝道長度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度 通常 W L （ 動畫 23） N溝道增強型 MOSFET 2. 工作原理 （ 1） vGS對溝道的控制作用 當 vGS=0時 漏源之間相當于兩個背靠背的 PN 結(jié) ,無導電溝道， d、 s間加電壓時，也無電流產(chǎn)生。 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 ?靠近漏極 d處的電位升高 ?電場強度減小 ?溝道變薄 當 vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ? iD? ?溝道電位梯度 ? 整個溝道呈 楔形分布 N溝道增強型 MOSFET 當 vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ? iD? ?溝道電位梯度 ? 當 vDS增加到使 vGD=VT 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷。 修正后 MOSFET的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) 1. 開啟電壓 VT （增強型參數(shù)） 2. 夾斷電壓 VP （耗盡型參數(shù)） 3. 飽和漏電流 IDSS （耗盡型參數(shù)） 4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ） 二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds GSDDSdsVir ??? v MOSFET的主要參數(shù) DS GSDmVigv???2. 低頻互導 gm 二、交流參數(shù) 考慮到 2TGSnD )( VKi ?? v則 DSDS GS2TGSnGSDm)]([VVVKigvvv ???????)(2 TGSn VK ?? vnDTGS )( KiV ??vDn2 iK?LWCμK ??2oxnn其中 對于 N溝道增強型 MOSFET ： MOSFET的主要參數(shù) end 三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流 IDM 2. 最大耗散功率 PDM 3. 最大漏源電壓 V（ BR） DS 4. 最大柵源電壓 V（ BR） GS MOSFET放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 2. 小信號模型分析 * 帶 PMOS負載的 NMOS放大電路 3. MOSFET 三種基本放大電路比較 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） 共源極放大電路 b ? G , e ? S , c ? D 為了使場效應管工作在恒流區(qū)實現(xiàn)放大作用 ， 應滿足： G S TD S G S T uVu u V???與雙極型三極管對應關(guān)系 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點 (VGSQ 、 IDQ VDSQ)的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說明假設錯誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2兩種方法 近似估算法 圖解法 假設工作在飽和區(qū) (放大區(qū) ） 滿足 )(TGSDS VVV ??假設成立 ， 結(jié)果即為所求 。 2. 小信號模型分析 解：例 求得： ?I V2G S Q ?V S Q ?VmS1 mS)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 2. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo R
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