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絕緣珊場(chǎng)效應(yīng)管mos-全文預(yù)覽

2025-05-20 06:41 上一頁(yè)面

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【正文】 RGS可達(dá) 109～ 1015Ω。（學(xué)生自學(xué)）模擬電路第三章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 4. MOS管的主要參數(shù) （ 1）開啟電壓 UT （ 2）夾斷電壓 UP （ 3）跨導(dǎo) gm ： gm=?iD/?uGS? uDS=const （ 4）直流輸入電阻 RGS —— 柵源間的等效電阻。在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。（ c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。（可變電阻區(qū)）（ c）當(dāng) uds增加到使 ugd=UT時(shí)，溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為預(yù)夾斷。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓 uDS作用下，漏極電流 ID越大。二、工作原理當(dāng) uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在d、 s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。 gsdb符號(hào)： N+ +NP 襯底s g db源極柵極漏極襯底二氧化硅絕緣層通常將襯底與源極接在一起一、基本概念模擬電路第三章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 定義：柵極與漏、源極完全絕緣的場(chǎng)效晶體管，稱絕緣柵場(chǎng)效晶體管。分為：增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管（ 1）結(jié)構(gòu) 4個(gè)電極：漏極 D，源極 S，柵極 G和襯底 B。電路符號(hào)和分類 N溝道增強(qiáng)型 P溝道增強(qiáng)型 N溝道耗盡型 P溝道耗盡型

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