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絕緣珊場效應(yīng)管mos(已修改)

2025-05-11 06:41 本頁面
 

【正文】 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 復(fù) 習(xí) 鞏 固 ? 場效應(yīng)管的定義 ? 結(jié)型場效應(yīng)管的電極、分類 ? 結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理 ? 結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線 ? 結(jié)型場效應(yīng)管跟三極管的比較 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 雙極型三極管 單極型場效應(yīng)管 載流子 多子 +少子 多子 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流源 電壓控制電流源 輸入電阻 幾十到幾千歐 幾兆歐以上 噪聲 較大 較小 靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響 制造工藝 不宜大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 FET的分 類 : FET分類 絕緣場效應(yīng)管 型場效應(yīng)管 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 模擬電路第三章 上頁 首頁 下頁 第二節(jié) 絕緣柵場型效應(yīng)三極管 絕緣柵型場效應(yīng)管 (FET),簡稱 MOSFET。 分為: 增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管 ( 1) 結(jié)構(gòu) 4個電極:漏極 D, 源極 S,柵極 G和 襯底 B。 gsdb符號: N+ +NP 襯底s g db源極 柵極 漏極襯底二氧化硅絕緣層 通常將襯底與 源極接在一
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