潘場(chǎng)效應(yīng)管放大器ppt課件(已修改)
2025-05-13 08:45 本頁(yè)面
【正文】 第四章 場(chǎng)效應(yīng)管放大器 ● 導(dǎo)電溝通： 從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分， 它有 自由電子導(dǎo)電的 N溝道器件 和 空穴導(dǎo)電的 P溝道器件 。 ● 場(chǎng)效應(yīng)管： 場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是 由一種載流子 （多子） 導(dǎo)電的 、 用輸入電壓控 制輸出電流 的半導(dǎo)體器件，具有 輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。 ● 分類(lèi)： 按照?qǐng)鲂?yīng)三極管的結(jié)構(gòu)劃分，有 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 兩大類(lèi)。 ● 器件外形： N 基底 ： N型半導(dǎo)體 P P 兩邊是 P區(qū) G柵極 S源極 D漏極 一、結(jié)構(gòu) 導(dǎo)電溝道 PN結(jié)（耗盡層） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 : 結(jié)構(gòu)和工作原理 P N N G(柵極 ) S源極 D漏極 P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 D G S N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 N P P G柵極 S源極 D漏極 D G S 符號(hào)： 二、工作原理（以 N溝道為例） 當(dāng) UDS= 0 V時(shí)： UGS D G S N P P * 若加入 UGS 0,PN結(jié)反偏， 耗盡層變厚 * 若 UGS = 0,溝道較寬，溝道電阻小 溝道變窄，溝道電阻增大 * 若 UGS = VP （夾斷電壓）時(shí) 溝道 夾斷 ，溝道電阻很大 |UGS|越大 ,則耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電溝道越窄。 但當(dāng) |UGS|較小時(shí)，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。 DS間相當(dāng)于線(xiàn)性電阻。 溝道 夾斷 時(shí)（ 夾斷電壓 VP） ,耗盡區(qū)碰到一起， DS間被夾斷， 這時(shí)，即使 UDS ? 0V，漏極電流 ID=0A。 加入 UGS使 溝道 變窄 ， 該類(lèi)型效應(yīng)管稱(chēng)為耗盡型 漏源電壓 VDS對(duì) iD的影響 隨 VDS增大，這種不均勻性越明顯。當(dāng) VDS增加到使 VGD=VGSVDS =VP 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)。 當(dāng) VDS繼續(xù)增加時(shí)，預(yù)夾斷區(qū)向源極方向伸長(zhǎng) 。 電阻 增 大，使 VDS增加不能使漏極也增大， 漏極電流 iD 趨于飽和 。 * 在柵源間加電壓 VGS，漏源間加電壓 VDS。 由于 漏源間有一電位梯度 VDS 漏端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGSVDS 源端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGS 使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故 VDS對(duì)溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形，溝道夾斷前， iD 與 vDS 近似呈線(xiàn)性關(guān)系。 伏安特性曲線(xiàn)及參數(shù) 特點(diǎn) : (1)當(dāng) vGS 為定值時(shí) , 管子的漏源間呈線(xiàn)性電阻，且其阻值受 vGS 控制 ，（ iD 是 vDS 的線(xiàn)性函數(shù)）。 （ 2） 管壓降 vDS 很小。 用途： 做 壓控線(xiàn)性電阻 和無(wú)觸點(diǎn)的、閉合狀態(tài)的 電子開(kāi)關(guān) 。 條件： 源端與漏端溝道都不夾斷 VV PGS ? VVV PGSDS ??（ 1）可變電阻區(qū) 輸出特性曲線(xiàn)： CVDSD GS)(Vfi ??（ 動(dòng)畫(huà) 26） 用途 : 可做 放大器 和 恒流源 。 （ 2）恒流區(qū) ： (又稱(chēng)飽和區(qū)或放大區(qū)） VV PGS ?VVV PGSDS ??條件 : (1)源端溝道未夾斷 (2)
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