[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路(已修改)
2025-03-02 00:05 本頁面
【正文】 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 與 BJT相比： ? 利用電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制電流 ? 單極型晶體管：主要是多數(shù)載流子導(dǎo)電 ? 輸入阻抗高 ? 噪聲低 ? 易于制造，便于集成 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 N溝道 增強型 N溝道 N溝道 （耗盡型） FET 場效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 耗盡型 ：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，就有導(dǎo)電溝道存在 增強型 ：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，沒有導(dǎo)電溝道 場效應(yīng)管的分類： 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 N溝道增強型 MOSFET MOSFET的主要參數(shù) N溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET 溝道長度調(diào)制效應(yīng) N溝道增強型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） L ：溝道長度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度 通常 W L N溝道增強型 MOSFET 剖面圖 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） 符號 N溝道增強型 MOSFET 2. 工作原理 （ 1） vGS對溝道的控制作用 當 vGS≤0 時 無導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓時，也無電流產(chǎn)生。 當 0vGS VT 時 產(chǎn)生電場，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道）， d、 s間加電壓后，沒有電流產(chǎn)生。 當 vGS VT 時 在電場作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 vGS越大，導(dǎo)電溝道越厚 VT 稱為開啟電壓 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 ?靠近漏極 d處的電位升高 ?電場強度減小 ?溝道變薄 當 vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 整個溝道呈 楔形分布 當 vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 當 vDS增加到使 vGD=VT 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ?ID基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時作用時 vDS一定， vGS變化時 給定一個 vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi① 截止區(qū) 當 vGS＜ VT時 ， 導(dǎo)電溝道尚未形成 ， iD＝ 0， 為截止工作狀態(tài) 。 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi② 可變電阻區(qū) vDS≤（ vGS－ VT） ] )([ DSDSTGSnD 22 vvv ??? VKi由于 vDS較小，可近似為 DSTGSnD )( vv VKi ?? 2常數(shù)??GSDDS
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1