[工程科技]模電課件 ch05場效應(yīng)管放大電路-文庫吧
2025-02-03 00:05 本頁面
【正文】 d s ovvdidr)( TGSn VK ?? v21 rdso是一個(gè)受 vGS控制的可變電阻 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 ② 可變電阻區(qū) DSTGSnD )( vv VKi ?? 2)( TGSnd s o VKr ?? v21?n ：反型層中電子遷移率 Cox ：柵極 （ 與襯底間 ） 氧化層單位面積電容 本征電導(dǎo)因子 oxn39。n C??K????????? ? LWLWKK 22 oxnnn C?其中 Kn為電導(dǎo)常數(shù) ， 單位： mA/V2 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 ③ 飽和區(qū) （ 恒流區(qū)又稱放大區(qū) ） vGS VT ，且 vDS≥ （ vGS－ VT） 2)( TGSnD VKi ?? v22 1 )(TGSTn ?? VVKv21 )(TGSDO ?? VIv2TnDO VKI ? 是 vGS＝ 2VT時(shí)的 iD VI 特性： 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 2）轉(zhuǎn)移特性 c o n s t .GSD DS)( ?? vvfi21 )(TGSDOD ?? VIiv N溝道耗盡型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu)和工作原理 （ N溝道） 二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子 可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流 N溝道耗盡型 MOSFET 2. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 21 )(PGSD S SD VIiv??21 )(TGSDOD ?? VIiv （ N溝道增強(qiáng)型） P溝道 MOSFET 溝道長度調(diào)制效應(yīng) 實(shí)際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的 )()( DSTGSnD vv ???? 12VKi )()(DSTGSDO vv ???? 11 2VIL的單位為 ?m 1V ???L當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)， ?＝ 0，曲線是平坦的。 修正后 MOSFET的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) NMOS增強(qiáng)型 1. 開啟電壓 VT （增強(qiáng)型參數(shù)） 2. 夾斷電壓 VP （耗盡型參數(shù)） 3. 飽和漏電流 IDSS （耗盡型參數(shù)） 4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ） 二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds GSDDSdsVir ??? vD12TGSnds1])([iVKr ?? ????v當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)， ?＝ 0， rds→∞ MOSFET的主要參數(shù) DS GSDmVigv???2. 低頻互導(dǎo) gm 二、交流參數(shù) 考慮到 2TGSnD )( VKi ?? v則 DSDS GS2TGSnGSDm)]([VVVKigvvv ???????)(2 TGSn VK ?? vnDTGS )( KiV ??vDn2 iK?LWK ???2C oxnn其中 MOSFET的主要參數(shù) end 三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流 IDM 2. 最大耗散功率 PDM 3. 最大漏源電壓 V（ BR） DS 4. 最大柵源電壓 V（ BR） GS MOSFET放大電路
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