【正文】 N溝道的 JFET， VP 0。 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ?ID基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時作用時 vDS一定， vGS變化時 給定一個 vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 為什么 JFET的輸入電阻比 BJT高得多？ ? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因 此 iG?0，輸入電阻很高。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)(2 dDDDDS RRIVV ???])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 靜態(tài)時 ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負載開路，交流負載線與直流負載線相同 MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動態(tài)值 （交流） 非線性失真項 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時 高頻小信號模型 3. 小信號模型分析 解：例 求得： ?I V2G SQ ?V S Q ?VV/mA1 V/mA)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo Rg vv ??)1()( mgsgsmgsi RgRg ???? vvvvRgRgAmdmio1 ???? vvvg2g1i // RRR ?do RR ?SiiSiioSos RRRAA???? ?? vv vvvvvvs 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） )//()//)((dsgsmgsdsgsmiorRgrRgAvvvvvv ???1)//(1 )//(dsmdsm ??? rRgrRg)()//(1)//( SiidsmdsmSiioSos