[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路-在線瀏覽
2025-04-07 00:05本頁面
【正文】 ，導(dǎo)電溝道越厚 VT 稱為開啟電壓 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 ?靠近漏極 d處的電位升高 ?電場強度減小 ?溝道變薄 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 整個溝道呈 楔形分布 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時， vDS? ?ID? ?溝道電位梯度 ? 當(dāng) vDS增加到使 vGD=VT 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi① 截止區(qū) 當(dāng) vGS＜ VT時 ， 導(dǎo)電溝道尚未形成 ， iD＝ 0， 為截止工作狀態(tài) 。n C??K????????? ? LWLWKK 22 oxnnn C?其中 Kn為電導(dǎo)常數(shù) ， 單位： mA/V2 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 ③ 飽和區(qū) （ 恒流區(qū)又稱放大區(qū) ） vGS VT ，且 vDS≥ （ vGS－ VT） 2)( TGSnD VKi ?? v22 1 )(TGSTn ?? VVKv21 )(TGSDO ?? VIv2TnDO VKI ? 是 vGS＝ 2VT時的 iD VI 特性： 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 2）轉(zhuǎn)移特性 c o n s t .GSD DS)( ?? vvfi21 )(TGSDOD ?? VIiv N溝道耗盡型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu)和工作原理 （ N溝道） 二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子 可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流 N溝道耗盡型 MOSFET 2. VI 特性曲線及大信號特性方程 21 )(PGSD S SD VIiv??21 )(TGSDOD ?? VIiv （ N溝道增強型） P溝道 MOSFET 溝道長度調(diào)制效應(yīng) 實際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的 )()( DSTGSnD vv ???? 12VKi )()(DSTGSDO vv ???? 11 2VIL的單位為 ?m 1V ???L當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時， ?＝ 0，曲線是平坦的。 解： V2V54060 40 DDg2g1g2G S Q ?????????????? VRRRV)12)(()( 22TGSnDQ ????? VVKIV2V)]15)((5[dDDDD S Q ????? RIVV例： 設(shè) Rg1=60k?， Rg2=40k?， Rd=15k?， 220 V/ ?K試計算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。 對于 N溝道的 JFET， VP 0。 ? ? vGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄。 當(dāng) vDS增加到使vGD=VP 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 在預(yù)夾斷處 vGD=vGSvDS =VP 綜上分析可知 ? 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管 。 ? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。 JFET的特性曲線及參數(shù) c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi2. 轉(zhuǎn)移特性 c o n s t .G
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