[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路-文庫吧資料
2025-02-24 00:05本頁面
【正文】 )//()//)((dsgsmgsdsgsmiorRgrRgAvvvvvv ???1)//(1 )//(dsmdsm ??? rRgrRg)()//(1)//( SiidsmdsmSiioSosRRRrRgrRgA?????? ?vvvvvvv共漏 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 g2g1i // RRR ?mdsmdstto1//// 111grRgrRiR?????vend 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 JFET的特性曲線及參數(shù) JFET放大電路的小信號模型分析法 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 1. 結(jié)構(gòu) 符號中的箭頭方向表示什么？ 2. 工作原理 ① vGS對溝道的控制作用 當(dāng) vGS＜ 0時 （以 N溝道 JFET為例） 當(dāng)溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓 vGS稱為 夾斷電壓 VP （ 或 VGS(off) ）。 修正后 MOSFET的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) NMOS增強(qiáng)型 1. 開啟電壓 VT （增強(qiáng)型參數(shù)） 2. 夾斷電壓 VP （耗盡型參數(shù)） 3. 飽和漏電流 IDSS （耗盡型參數(shù)） 4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ） 二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds GSDDSdsVir ??? vD12TGSnds1])([iVKr ?? ????v當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時， ?＝ 0， rds→∞ MOSFET的主要參數(shù) DS GSDmVigv???2. 低頻互導(dǎo) gm 二、交流參數(shù) 考慮到 2TGSnD )( VKi ?? v則 DSDS GS2TGSnGSDm)]([VVVKigvvv ???????)(2 TGSn VK ?? vnDTGS )( KiV ??vDn2 iK?LWK ???2C oxnn其中 MOSFET的主要參數(shù) end 三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流 IDM 2. 最大耗散功率 PDM 3. 最大漏源電壓 V（ BR） DS 4. 最大柵源電壓 V（ BR） GS MOSFET放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 2. 圖解分析 3. 小信號模型分析 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） 直流通路 共源極放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說明假設(shè)錯誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作
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