場效應管及其電路ppt課件-文庫吧資料
2025-05-13 00:11本頁面
【正文】 管的主要參數 (1) 夾斷電壓 為耗盡型管子 (含結型 )的參數 ,是指 uDS 為某一定值而 iD減小到某一微小值時的 uGS值。此時，導電溝道被完全夾斷，故也被稱為夾斷區(qū)。擊穿后場效應管不能正常工作，甚至很快燒毀，因此，不允許場效應管工作在此區(qū)域。場效應管作為放大器件應用時，均工作在這一區(qū)域，所以又稱為放大區(qū)。 (2)恒流區(qū) 較大超過 ，輸出特性曲線趨于水平的區(qū)域。該工作區(qū)的特點是： 與 近似成線性關系，改變 曲線斜率就發(fā)生變化。 GS 0?u GSuGSuPU DSuDi 結型場效應管 (JFET) 第 4章 場效應管及其電路 特性曲線 1．輸出特性曲線 圖 411 N溝道 JFET特性曲線 圖 411(a)就是 N溝道結型場效應管的輸出特性曲線，由圖可見，其工作狀態(tài)分為四個區(qū)域。當 的反偏值增大到某一值時，場效應管兩側的耗盡層相接，導電溝道消失，這種現(xiàn)象稱為夾斷，如圖 410(c)所示，發(fā)生夾斷時的柵源電壓即為夾斷電壓 。 圖 49 結型場效應管 結型場效應管 (JFET) 第 4章 場效應管及其電路 結型場效應管的工作原理 圖 410 時， 對導電溝道的影響 0?DSuGSu 結型場效應管 (JFET) 第 4章 場效應管及其電路 如圖 410 (a)所示，場效應管兩側的 PN結均處于零偏置，因此耗盡層很薄，中間的導電溝道最寬，溝道等效電阻最小。 圖 48 P溝道耗盡型 MOS管電路符號 結型場效應管 (JFET) 第 4章 場效應管及其電路 結型場效應管的結構 結型場效應管其內部結構如圖 49所示，與絕緣柵型場效應管不同的是漏極 D和源極 S通常可以對調使用。 GS 0＝u 將 時有導電溝道存在的場效應管通稱為耗盡型場效應管，符號中導電溝道用實線表示。 圖 46 P溝道增強型 MOS管電路符號 絕緣柵場效應管 (MOSFET) 第 4章 場效應管及其電路 N溝道耗盡型場效應管 N溝道耗盡型 MOS管在制造時，在二氧化硅絕緣層中預先摻入了大量的正離子。 DiTU 圖 44 轉移 特性曲線 （ 41） 絕緣柵場效應管 (MOSFET) 第 4章 場效應管及其電路 (2)輸出特性曲線 輸出特性是指增強型NMOS管在柵源電壓 一定時，輸出電流 與漏源電壓 的關系曲線，如圖 45所示，其函數關系式為 GSuDi DSuD D S GS()i f u u ?? 常 數 圖 45 輸出特性曲線 絕緣柵場效應管 (MOSFET) 第 4章 場效應管及其電路 P溝道增強型場效應管 (PMOS管 ) P溝道增強型 MOS管和 N溝道增強型 MOS管的主要區(qū)別在于作為襯底的半導體材料的類型不同， P溝道增強型 MOS管以 N型硅作為襯底，另外，漏極和源極是從 引出，反型層為 P型，對應的導電溝道也為 P型結構，其符號如圖 46所示。若此時加入漏源電壓 ，就會有漏極電流 產生。 D
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