場(chǎng)效應(yīng)管放大電路(1)-文庫(kù)吧資料
2025-05-05 05:33本頁(yè)面
【正文】 曲線并不是平坦的 )()( DSTGSnD vv ???? 12VKi )()(DSTGSDO vv ???? 11 2VIL的單位為 ?m 1V ???L當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)， ?＝ 0，曲線是平坦的。 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長(zhǎng) ?溝道電阻 ? ? iD基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時(shí)作用時(shí) vDS一定， vGS變化時(shí) 給定一個(gè) vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 vGS越大，導(dǎo)電溝道越厚 VT 稱為開(kāi)啟電壓 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管利用 vGS 來(lái)控制 “ 感應(yīng)電荷 ” 的多少 ， 改變由這些 “ 感應(yīng)電荷 ” 形成的導(dǎo)電溝道的狀況 ， 以控制漏極電流 ID。 當(dāng) 0vGS VT 時(shí) 產(chǎn)生電場(chǎng)，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道）， d、 s間加電壓后，沒(méi)有電流產(chǎn)生。 MOS管的源極和襯底通常是接在一起的 (大多數(shù)管子在出廠前已連接好 )。柵極與其它電極間是絕緣的。 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 N溝道 增強(qiáng)型 N溝道 N溝道 （耗盡型） FET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 耗盡型 ：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在 增強(qiáng)型 ：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道 場(chǎng)效應(yīng)管的分類 ： MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor Junction Field Effect Transistor N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 剖面圖 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） 符號(hào) 在一塊摻雜濃度較低的 P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁 引出兩個(gè)電極，分別作 漏極 d和源極 s。機(jī)電工程學(xué)院 肖林榮 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET MOSFET的主要參數(shù) N溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) 場(chǎng)效應(yīng)管分類 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 特點(diǎn) 單極型器件 (一種載流子導(dǎo)電 )； 輸入電阻高； 工藝簡(jiǎn)單 、 易集成 、 功耗小 、 體積小 、成本低 。 場(chǎng)效應(yīng)管 ： 是利用 輸入回路的電壓產(chǎn)生的電場(chǎng) 效應(yīng)來(lái)控制 輸出回路電流 的三極管 . 一種載流子參與導(dǎo)電 ， 又稱單極型三極管 。 然后在半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅 (SiO2)絕緣層，在漏 源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極 ,作為 柵極 g。 在襯底上也引出一個(gè) 電極 B，這就構(gòu)成了一個(gè) N溝道增強(qiáng)型 MOS管。 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） L ：溝道長(zhǎng)度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度 通常 W L （ 動(dòng)畫(huà) 23） N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 2. 工作原理 （ 1） vGS對(duì)溝道的控制作用 當(dāng) vGS=0時(shí) 漏源之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的 PN 結(jié) ,無(wú)導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓時(shí)，也無(wú)電流產(chǎn)生。 當(dāng) vGS≥ VT 時(shí) 在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 ?靠近漏極 d處的電位升高 ?電場(chǎng)強(qiáng)度減小 ?溝道變薄 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時(shí)， vDS? ? iD? ?溝道電位梯度 ? 整個(gè)溝道呈 楔形分布 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 當(dāng) vGS一定（ vGS VT ）時(shí)， vDS? ? iD? ?溝道電位梯度 ? 當(dāng) vDS增加到使 vGD=VT 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。 N溝道增強(qiáng)型 M
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