第4章場效應(yīng)管放大電路-文庫吧資料
2024-10-13 17:22本頁面
【正文】 VT ) 溝道暢通，場效應(yīng)管等效為小電阻 （可變電阻區(qū)）。 g P d s N+ N+ N溝道 當(dāng)外加正 vDS 時(shí)，源區(qū)的多子 (電子 )將沿反型層漂移到漏區(qū)形成漏極電流 iD。 vGSVT， 溝道形成， vDS0時(shí)，將形成電流 iD。 vDS=0時(shí) 反型層均勻 vGSVT 剛形成反型層所需的 vGS 的值 ——開啟電壓 VT 。無導(dǎo)電溝道 iD=0 vGS =0時(shí) ， iD=0 0vGSVT時(shí) d s g b P N+ N+ 耗盡層 g P d s N+ N+ b 16 vGS加大，將吸引更多的電子到襯底表面，形成自由電子的薄層 ——反型層。 N溝道增強(qiáng)型 MOS管示意圖 N溝道增強(qiáng)型 MOS管符號 s g d 襯底 b P N+ N+ 鋁 SiO2 MOS場效應(yīng)管的類型： 增強(qiáng)型 ：包括 N溝道和 P溝道 耗盡型 ：包括 N溝道和 P溝道 d s g b P溝道增強(qiáng)型 MOS管符號 d s g b 15 溝道形成原理 ① vDS=0時(shí)， vGS 的作用 在 SiO2絕緣層中產(chǎn)生垂直向下的電場， 該電場排斥 P區(qū)中的多子空穴，而將少子電子吸向襯底表面。 最大漏源電壓： V(BR)DS 最大耗散功率： PDM GSPGSD S SGSDm dvVvdIdvdig2)1( ???)1(2PGSPD S Sm VvVIg ???14 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 金屬柵極、 SiO2絕緣層、半導(dǎo)體，構(gòu)成平板電容器。 13 輸出電阻： rd 輸出電阻反映了 vDS對 iD的影響，是輸出特性上，靜態(tài)工作點(diǎn)處切線斜率的倒數(shù)。 飽和漏電流： IDSS 場效應(yīng)管處于 飽和區(qū)， 且 vGS=0 時(shí)的漏極電流，對于結(jié)型場效應(yīng)管，為最大工作電流。 轉(zhuǎn)移特性方程： iD=IDSS(1vGS/VP)2 VP IDSS vGS – vGS 12 （ 3）主要參數(shù) 夾斷電壓： VP 當(dāng)導(dǎo)電溝道剛好完全被關(guān)閉時(shí)，柵源所對應(yīng)的電壓 vGS 稱為夾斷電壓。 3區(qū)： 截止區(qū) vGSVP ， vGDVP iD=0 場效應(yīng)管截止 11 (2) 轉(zhuǎn)移特性曲線 iD= f (vGS)|vDS= 常數(shù) 表征柵源電壓 vGS對漏極電流的控制作用， 場效應(yīng)管是電壓控制器件。 10 4區(qū)： 擊穿區(qū) vDS太大，致使柵漏PN結(jié)雪崩擊穿， FET處于擊穿狀態(tài) .。 在該區(qū)域，場效應(yīng)管等效成一個(gè) 受 vGS控制的恒流源 。 1區(qū) : 可變電阻區(qū) 0vGSVP , 0vGDVp 9 2區(qū) ：飽和區(qū) （恒流區(qū)，線性放大區(qū) ） 0≤ vGS Vp, vGDVp 特點(diǎn) : iD 隨
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