場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路-文庫吧資料
2025-01-26 03:28本頁面
【正文】 D μ A 0 2 4 6 8 200 150 100 50 200 150 100 50 NMOS的 轉(zhuǎn)移特性曲線 (4)主要參數(shù)： 1）開啟電壓 VT:手冊(cè)給出是 ID為一微小值時(shí)的 VGS 2）飽和漏極電流 IDO。 ? 當(dāng) UGS低于 VT時(shí)，漏源之間夾斷。 BUGS JFET：反向飽和電流劇增時(shí)的柵源電壓 MOS：使 SiO2絕緣層擊穿的電壓 Sect 1. 低頻跨導(dǎo) gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用 CUCUGSDmBSDSdUdIg???gm的求法 : ① 圖解法 — gm實(shí)際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率 ②解析法：如增強(qiáng)型 MOS管存在 ID=K(UGSUT)2 )U2 K ( Ug TGSm ??Sect 2. 襯底跨導(dǎo) gm b 反映了襯底偏置電壓對(duì)漏極電流 ID的控制作用 CUCUBSDmGSDSdUdIg???bmmbgg??—— 跨導(dǎo)比 Sect 3. 漏極電阻 rds CUCUDDSdGSBSdIdUr???s反映了 UDS對(duì) ID的影響，實(shí)際上是輸出特性曲線上工作點(diǎn)切線上的斜率 Ron CUCUDDSGSBSdIdU???onR在恒阻區(qū)內(nèi) mg1?Sect 5. 極間電容 Cgs— 柵極與源極間電容 Cgd — 柵極與漏極間電容 Cgb — 柵極與襯底間電容 Csd — 源極與漏極間電容 Csb — 源極與襯底間電容 Cdb — 漏極與襯底間電容 主要的極間電容有： Sect 、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IGFET（ MOS） 分 增強(qiáng)型 和 耗盡型 兩類：各類有分 NMOS和 PMOS兩種： 1) NMOS （ Metal Oxidized Semiconductor) NMOS（ D） P 襯底 N N 源極 門極 漏極 S G D 增強(qiáng)型 N溝道示意 B 基底 NMOS（ E） P 襯底 N N 源極 門極 漏極 S G D 耗盡型 N溝道示意 B 基底 Sio2 Sio2 N溝道 G D S G G G B B + + 2） P溝道 MOS（ Metal Oxidized Semiconductor) N 襯底 P P 源極 門極 漏極 S G D 增強(qiáng)型 P溝道示意 B 基底 PMOS（ E） N 襯底 P P 源極 門極 漏極 S G D 耗盡型 P溝道示意 B 基底 Sio2 Sio2 P溝道 G D S G G G B B PMOS（ D） (1)工作狀態(tài)示意圖 P 襯底 N N S G D UGS UDS B ID 耗盡區(qū) ++ ++ G D S B ID UDS UGS (2) IGFET 工作原理 (NMOS) ? 耗盡型 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理類似 結(jié)型 場(chǎng)效應(yīng)管。 Sect 4. 直流輸入電阻 RGS 柵源間所加的恒定電壓 UGS與流過柵極電流 IGS之比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí) RGS約大于 107Ω， 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管 RGS約是 109～ 1015Ω。 3. 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng) UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。對(duì)應(yīng) ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號(hào) UP表示。 當(dāng) UGS＜ 0時(shí)，隨著 UGS的減小漏極電流逐漸 減小 。 UDS增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上， ID基本趨于不變。在 UDS作用下形成 ID Sect Sect 基礎(chǔ)知識(shí) 當(dāng) UDS增加到使 UGD=UT時(shí)， 當(dāng) UDS增加到 UGD?UT時(shí)， 增強(qiáng)型 MOS管 ? 漏源電壓 UDS對(duì)漏極電流 ID的控制作用
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