【摘要】普通高等教育”十一五”國家級規(guī)劃教材電子工業(yè)出版社模擬電子技術(shù)徐麗香編著第4章場效應(yīng)管放大電路?學(xué)習(xí)目標(biāo):(1)了解場效應(yīng)管電壓放大作用和主要參數(shù);(2)了解場效效應(yīng)管放大器的特點(diǎn)及應(yīng)用。(3)設(shè)計用場效應(yīng)管制作的放大電路或者制作恒流源電路。場效應(yīng)管的基本特性?場效應(yīng)管是利用柵源之
2025-05-18 23:10
【摘要】§場效應(yīng)管放大電路?場效應(yīng)管的源極、柵極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的射極、基極和集電極。與晶體管的共射、共基和共集三種組態(tài)相對應(yīng),場效應(yīng)管也有共源、共柵和共漏三種組態(tài)?!靾鲂?yīng)管放大電路?一、場效應(yīng)管的偏置電路?二、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的確定?三、場效應(yīng)管的動態(tài)分析?四、場效應(yīng)管三種組
2025-07-31 19:03
【摘要】機(jī)電工程學(xué)院肖林榮金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET的主要參數(shù)N溝道耗盡
2025-05-05 05:33
【摘要】1FundamentalofElectronicTechnologyCTGU2結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管MOSFET放大電路各種放大器件電路性能比較*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管3?掌握場效應(yīng)管的直流偏置電路及分析;?場效應(yīng)管放大器的微變等效電路分
2025-01-26 03:28
【摘要】2022年2月9日星期三第四章14場效應(yīng)管放大電路引言2022年2月9日星期三第四章2?場效應(yīng)管(FET)的特點(diǎn):體積小、重量輕、耗電省、壽命長;輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡單。?主要用途:大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。?分類:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)、金屬-氧化
2025-01-18 10:38
【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電
2025-03-28 06:18
【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET的主要參數(shù)N溝道耗盡型MOSFETP溝道MOSFET溝道長度調(diào)制效應(yīng)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型
2025-01-20 13:09
【摘要】1第四章場效應(yīng)管放大電路BJT的缺點(diǎn):輸入電阻較低,溫度特性差。場效應(yīng)管(FET):利用電場效應(yīng)控制其電流的半導(dǎo)體器件。優(yōu)點(diǎn):輸入電阻非常高(高達(dá)107~1015歐姆),噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),工藝簡單,便于集成。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET);
2024-10-13 17:22
【摘要】第四章場效應(yīng)管及其放大電路1.場效應(yīng)管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為哪兩大類?2.何謂耗盡型?何謂增強(qiáng)型?VP夾斷電壓和VT開啟電壓分別是何種類型場效應(yīng)管的重要參數(shù)之一?3.場效應(yīng)管有哪三個電極?和BJT管如何對應(yīng)?4.場效應(yīng)管的兩個電壓VGS和VDS分別起何主要作用?5.場效應(yīng)管輸出特性曲線分為哪幾個區(qū)?作放大時工作在哪個區(qū)?為什么?
2024-08-18 04:23
【摘要】第九講場效應(yīng)管及其放大電路一、場效應(yīng)管二、場效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析四、復(fù)合管場效應(yīng)三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,且利用電場效應(yīng)來控制電流的三極管,稱為場效應(yīng)管,也稱單極型三極管。場效應(yīng)管分類結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管特點(diǎn)單極型器件
2024-12-14 08:30
【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管的分類:(電場效應(yīng),單
2025-02-27 10:49
【摘要】第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路-半導(dǎo)體場效應(yīng)管-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管(FET)?分類和結(jié)構(gòu):?結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET?絕緣柵型場效應(yīng)晶體管IGFETNPPN結(jié)耗盡層N溝道G門極D漏極S源極P
【摘要】第5章場效應(yīng)管及其基本放大電路場效應(yīng)管1.特點(diǎn):(1)導(dǎo)電能力由電壓控制的半導(dǎo)體器件。(2)僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。(3)體積小、耗電少、壽命長等優(yōu)點(diǎn),(4)輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲低、制造工藝簡單、便于集成等特點(diǎn)。(5)廣泛用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。N溝
2025-05-13 00:12
【摘要】模擬電子技術(shù)第三章場效應(yīng)管引言結(jié)型場效應(yīng)管場效應(yīng)管的主要參數(shù)MOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管電路小信號等效電路分析法場效應(yīng)管放大電路的組態(tài)模擬電子技術(shù)引言場效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)
2024-10-08 19:08
【摘要】第四章場效應(yīng)管放大器●導(dǎo)電溝通:從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件?!駡鲂?yīng)管:場效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子(多子)導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。●分類:按照場效應(yīng)三極管
2025-05-07 08:45