潘場(chǎng)效應(yīng)管放大器ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-07 08:45本頁(yè)面
【正文】 OS管，它是在柵極下方的 SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子，在管子制造過(guò)程中，這些正離子已經(jīng)在漏源之間的襯底表面感應(yīng)出反型層，形成了導(dǎo)電溝道。 增強(qiáng)型 MOSFET的工作原理 MOSFET的 特性曲線(xiàn) VVV TGSDS ?? — VGS對(duì) ID的控制特性 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)的斜率 gm 的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 當(dāng) VDS增加到使 VGD?VT時(shí)，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極端延伸成小的夾斷區(qū)。 當(dāng) VDS增加到使VGD=VT時(shí)，漏極處溝道將縮減到剛剛開(kāi)啟的情況，稱(chēng)為預(yù)夾斷。 若 VDS進(jìn)一步增大，直至 VGD=VT， 即 VGSVDS=VT或 VDS=VGSVT 時(shí)，則漏端溝道消失，出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)。 源極端電壓最大，為 VGS ，由此感生的溝道最深；離開(kāi)源極端，越向漏極端靠近，則柵 — 溝間的電壓線(xiàn)性下降，由它們感生的溝道越來(lái)越淺；直到漏極端，柵漏 間電壓最小，其值為： VGD=VGSVDS , 由此 感生的溝道也最淺。 當(dāng) VGS＞ VT時(shí)， 襯底中的電子進(jìn)一步被吸至柵極下方的 P型襯底表層，使襯底表層中的自由電子數(shù)量大于空穴數(shù)量，該薄層轉(zhuǎn)換為 N型半導(dǎo)體，稱(chēng)為反型層 。 VGS值越大，溝道內(nèi)自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣 VDS 電壓作用下， I D 越大。把 開(kāi)始形成 反型層的 VGS值 稱(chēng)為該管的 開(kāi)啟電壓 VT。 管子仍不能導(dǎo)通，處于截止?fàn)顟B(tài)。 當(dāng) 0＜ VGS＜ VT (開(kāi)啟電壓 )時(shí) ， 果在襯底表面形成一薄層負(fù)離子的耗盡層。 由于柵極是絕緣的，柵極電流幾乎為零，輸入電阻很高，最高可達(dá) 1014? 。 類(lèi)型及其符號(hào) : N溝道 增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 漏極 D 金屬電極 結(jié)構(gòu) 柵極 G 源極 S SiO2絕緣層 P型硅襯底 高摻雜 N區(qū) 金屬 柵極和其它電極及硅片之間是絕緣的，稱(chēng) 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 。管子 不能在擊穿區(qū)工作 。其值一般為（ 20— 50） V之間 。 特點(diǎn) : (1) 受控性： 輸入電壓 vGS 控制輸出電流 （ 3）夾斷區(qū) ： 用途： 做無(wú)觸點(diǎn)的、接通狀態(tài)的 電子開(kāi)關(guān) 。 條件： 源端與漏端溝道都不夾斷 VV PGS ? VVV PGSDS ??（ 1）可變電阻區(qū) 輸出特性曲線(xiàn)： CVDSD GS)(Vfi ??（ 動(dòng)畫(huà) 26） 用途 : 可做 放大器 和 恒流源 。 （ 2） 管壓降 vDS 很小。 由于 漏源間有一電位梯度 VDS 漏端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGSVDS 源端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGS 使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故 VDS對(duì)溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形，溝道夾斷前， iD 與 vDS 近似呈線(xiàn)性關(guān)系。 電阻 增 大，使 VDS增加不能使漏極也增大， 漏極電流 iD 趨于飽和 。當(dāng) VDS增加到使 VGD=VGSVDS =VP 時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)。 溝道 夾斷 時(shí)（ 夾斷電壓 VP） ,耗盡區(qū)碰到一起， DS間被夾斷， 這時(shí)，即使 UDS ? 0V，漏極
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