場(chǎng)效應(yīng)管ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-20 13:19本頁(yè)面
【正文】 效應(yīng)管； UGS = 0 時(shí)漏源間不存在導(dǎo)電溝道稱 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 。 稱為 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 ， 或簡(jiǎn)稱 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 。 2. 在高溫下， PN結(jié)的反向電流增大，柵源極間的電阻會(huì)顯著下降。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 圖 (b) 漏極特性 輸出特性曲線 夾斷區(qū) UDS iD VDD VGG D S G V + V + uGS 圖 (a)特性曲線測(cè)試電路 + mA 擊穿區(qū) iD/mA uDS /V O UGS = 0V 1 2 3 4 5 6 U P 7V=＊ 結(jié)型 P 溝道的特性曲線 S G D 轉(zhuǎn)移特性曲線 iD UGS（ Off） IDSS O uGS 輸出特性曲線 2+ 4+ 8+ o 柵源加正偏電壓， (PN結(jié)反偏 )漏源加反偏電壓。 二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線 1. 轉(zhuǎn)移特性 (N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例 ) O uGS iD IDSS UGS(off) 圖 轉(zhuǎn)移特性 uGS = 0 ， iD 最大； uGS 愈負(fù)， iD 愈?。籾GS = UGS(off) ， iD ≈ 0。 (2)當(dāng) uDS使 uGD ＝ uGS(off)時(shí)， ds之間預(yù)夾斷 (3)當(dāng) uDS使 uGD uGS(off)時(shí)， iD幾乎僅僅決定于 uGS ， 而與 uDS 無(wú)關(guān)。 此時(shí) ， 可以通過(guò)改變 uGS來(lái)控制的 iD大小 。 由于漏極電流受柵 源電壓的控制，故稱場(chǎng)效應(yīng)管為電壓控制元件 (VCCS)。 G D S N P+ P+ VGG uDS ↑ → uGD = UGS(off)， 溝道預(yù)夾斷 uDS ↑ → uGD uGS(off)， 夾斷， iD幾乎不變 (1) 改變 uGS ， 改變了 PN 結(jié)中電場(chǎng) ， 控制了 iD ， 故稱場(chǎng)效應(yīng)管； (2)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源之間加反向偏置電壓 ， 使 PN 反偏 ， 柵極基本不取電流 ， 因此 ， 場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻很高 。 (a) (b) uGD ＝ uGS － uDS → uDS↑ → uGD↓ → 靠近漏極一邊的導(dǎo)電溝道變窄。 UGS(off) 也可用 UP表示 2. 當(dāng) uGS 為 UGS（ Off)~0中一固定值時(shí) , uDS 對(duì)漏極電流 iD的影響 。 1. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用 ID = 0 G D S N型溝道 P+ P+ (a) UGS = 0 UGS = 0 時(shí) ， 耗盡層比較窄 ， 導(dǎo)電溝比較寬 UGS 由零逐漸減小 ， 耗盡層逐漸加寬 ， 導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄 。 (VCCS) G D S N N型溝道 柵極 源極 漏極 P+ P+ 耗盡層 *在柵極和源極之間加反向電壓 ， 耗盡層會(huì)變寬 ， 導(dǎo)電溝道寬度減小 ，使溝道本身的電阻值增大 ，漏極電流 ID 減小 ， 反之 ，漏極 ID 電流將增加 。 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管 P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖 N+ N+ P型溝道 G S D P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的 N 型區(qū) (N+)， 導(dǎo)電溝道為 P 型 ， 多數(shù)載流子為空穴 。 特點(diǎn) 輸入端電流極小 ， 因此它的 輸入電阻很大 利用多數(shù)載流子導(dǎo)電 ， 其 溫度穩(wěn)定性較好 抗輻射能力強(qiáng) 、 功耗低 、 噪聲低 N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （耗盡型） FET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 （ IGFET） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 D S G N 符號(hào) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 （ Junction Field Effect Transistor
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